Напряжение (V)
100
200
300
400
600
800
1200
1400
1600
1700
1800
2000
2200

Ток (A)
≤ 10
≤ 15
≤ 20
≤ 25
≤ 27
≤ 31
≤ 33
≤ 35
≤ 40
≤ 50
≤ 53
≤ 55
≤ 60
≤ 70
≤ 75
≤ 80
≤ 90
≤ 95
≤ 100
≤ 106
≤ 110
≤ 119
≤ 120
≤ 122
125
≤ 130
134
≤ 150
≤ 160
≤ 170
172
≤ 200
210
212
≤ 250
260
≤ 270
273
280
≤ 300
323
≤ 330
≤ 380
≤ 400
≤ 430
≤ 460
≤ 500
≤ 570
≤ 600
≤ 700
≤ 800
≤ 1000
≤ 1200
≤ 1800
≤ 2400
≤ 3600

Конфигурация IGBT модуля
Одиночный
Полумост
Верхний чоппер
Нижний чоппер
1-фазный мост
3-фазный мост
3-фазный мост с чоппером

IGBT модули


Компания SEMIKRON производит IGBT модули, полумосты, IGBT транзисторы, модули в различных корпусах, которые соответствуют определённым технологическим характеристикам.  Различают восемь видов корпусов: SEMITRANS, SEMiX, SEMITOP,SKiiP IPM, Mini SKiiP, Mini SKiiP IPM, SKIM 4/5,SKIM 63/93.

SEMIKRON производит разнообразные типы силовых полупроводниковых приборов:

  • Модули IGBT.
  • Интеллектуальные модули IGBT.
  • Модули MOSFET.
  • Драйверы IGBT.
  • Тиристоры и диоды как в модульном исполнении так и в дискретном.
     

IGBT транзисторы

Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

IGBT транзисторы вытесняют тиристоры из высоковольтных схем преобразования частоты и позволяют создать импульсные источники вторичного электропитания с качественно лучшими характеристиками.

IGBT полумосты и модули

Semikron выпускает широкую гамму силовой продукции в диапазоне токов от 1 А до 100 А и напряжении от 200 В до 3000 В. Наиболее известны выпрямительные IGBT полумосты и диоды на большие токи.

Сегодня компания SEMIKRON предлагает восемь типов модулей IGBT в стандартных конструктивах с рабочим напряжением 600, 1200 и 1700 В.

IGBT транзисторы используются достаточно широко в инверторах для управления электродвигателями, в мощных системах бесперебойного питания с напряжениями свыше 1 кВ и токами в сотни ампер.