SKBT40/12 — однофазный управляемый выпрямительный мост B2C в корпусе SEMIPONT® 2
Обозначение |
Наименование |
Значение |
Единица измерения |
VRRM |
Повторяющееся максимальное обратное напряжение |
1200 |
В |
ID (Tc = 92°C) |
Постоянный выходной ток всей схемы |
40 |
А |
SEMIPONT® 2 |
Количество в упаковке |
8 |
шт |
Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com
Цены на сайте указаны для оптовых количеств.
Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
Значение |
Единица измерения |
Чип |
ID |
Постоянный выходной ток всей схемы |
|
Tc = 85 °C |
46 |
А |
Tc = 100 °C |
|
А |
ITSM |
Бросок тока в открытом состоянии (ударный ток) тиристора |
10 мс |
Tvj = 25 °C |
470 |
А |
Tvj = 125 °C |
400 |
А |
i2t |
Значение i2t |
8.3 ... 10 мс |
Tvj = 25 °C |
1100 |
А2с |
Tvj = 125 °C |
800 |
А2с |
VRSM |
Неповторяющееся максимальное обратное напряжение |
|
1200 |
В |
VRRM |
Повторяющееся максимальное обратное напряжение |
|
1200 |
В |
VDRM |
Повторяющееся максимальное напряжение в выключенном состоянии |
|
1200 |
В |
(di/dt)cr |
Критическое значение скорости нарастания тока |
Tvj = 125 °C |
max. 50 |
А/мкс |
(dv/dt)cr |
Критическое значение скорости нарастания напряжения |
Tvj = 125 °C |
max. 500 |
В/мкс |
Tvj |
Эффективная температура p-n перехода |
|
- 40 ... + 125 |
°C |
Модуль |
Tstg |
Температура хранения |
|
- 40 ... + 125 |
°C |
VISOL |
Напряжение испытания изоляции |
переменное напряжение 50Гц, |
1 мин |
3000 |
В |
1c |
3600 |
В |
Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
Значение |
Единица измерения |
мин. |
ном. |
макс. |
Чип |
VT |
(Постоянное) напряжение во включенном состоянии (тиристор) |
Tvj = 25 °C; IT = 75 A |
|
|
2,3 |
В |
VT(TO) |
Прямое падение напряжения в открытом состоянии (пороговое напряжение) |
Tvj = 125 °C |
|
|
1,0 |
В |
rT |
Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии, прямое дифференциальное сопротивление (для тиристоров) |
Tvj = 125 °C |
|
|
16 |
мОм |
IDD; IRD |
Постоянный ток в закрытом состоянии; Постоянный обратный ток |
Tvj = 130 °C; VRD = VRRM; VDD = VDRM |
|
|
10 |
мА |
tgd |
Длительность задержки, вносимой затвором |
Tj = 25 °C; IG = 1 A; diG/dt = 1 A/мкс |
|
1 |
|
мкс |
tgr |
Длительность спада, вносимого затвором |
VD = 0,67 * VDRM |
|
1 |
|
мкс |
tq |
Время выключения замкнутой цепи (тиристор) |
Tvj = 125 °C |
|
80 |
|
мкс |
IH |
Ток удержания |
Tvj = 25 °C |
|
100 |
200 |
мА |
IL |
Ток срабатывания (заперания) |
Tvj = 25 °C; RG = 33 Ом |
|
250 |
400 |
мА |
VGT |
Отпирающее напряжение затвора |
Tvj = 25 °C; d.c. |
3,0 |
|
|
В |
IGT |
Ток отпирания затвора |
Tvj = 25 °C; d.c. |
150 |
|
|
мА |
VGD |
Неотпирающее напряжение затвора |
Tvj = 125 °C; d.c. |
|
|
0,25 |
В |
IGD |
Неотпирающий ток затвора |
Tvj = 125 °C; d.c. |
|
|
5,0 |
мА |
Rth(j-c) |
Тепловое сопротивление переход-корпус |
|
для чипа |
|
1 |
|
K/Вт |
для модуля |
|
0,25 |
|
K/Вт |
Модуль |
Rth(c-s) |
Тепловое сопротивление корпус-радиатор |
чип |
|
|
|
K/Вт |
модуль |
|
0,05 |
|
K/Вт |
Ms |
Монтажный вращающий момент |
для крепления теплоотвода с резьбой M5 |
5 ± 15 % |
Н · м |
Mt |
Монтажный вращающий момент |
для выводов с резьбой M5 |
3 ± 15 % |
Н · м |
a |
Максимальное ускорение при вибрации |
|
5 * 9,81 |
m/s2 |
m |
Масса модуля |
|
|
165 |
|
грамм |