SEMiX241DH16s

Цена: 59.67 EUR
Напряжение (V): 1600
Ток (A): ≤ 300
Конфигурация мостового модуля: Трёхфазный полууправляемый выпрямительный мост B6HK

SEMiX241DH16s — трёхфазный полууправляемый выпрямительный мост B6HK в корпусе SEMiX® 13

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение 1600 В
ID       (Tc = 85°C) Постоянный выходной ток всей схемы 240 А
SEMiX® 13 Количество в упаковке 4 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

Цены на сайте указаны для оптовых количеств.

 

Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
Чип
ID Постоянный выходной ток всей схемы   Tc = 85 °C 240 А
Tc = 100 °C 200 А
ITSM Бросок тока в открытом состоянии (ударный ток) 10 мс Tvj = 25 °C 2250 А
Tvj = 130 °C 1900 А
i2t Значение i2t 8.3 ... 10 мс Tvj = 25 °C 25300 А2с
Tvj = 130 °C 18000 А2с
VRSM Неповторяющееся максимальное обратное напряжение   1700 В
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение   1600 В
VDRM Повторяющееся максимальное напряжение в выключенном состоянии   1600 В
(di/dt)cr Критическое значение скорости нарастания тока Tvj = 130 °C max. 100 А/мкс
(dv/dt)cr Критическое значение скорости нарастания напряжения Tvj = 130 °C max. 1000 В/мкс
Tvj Эффективная температура p-n перехода   - 40 ... + 130 °C
Модуль
Tstg Температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL Напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 мин 4000 В
1c 4800 В
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
Чип
VT (Постоянное) напряжение во включенном состоянии (тиристор) Tvj = 25 °C; IT = 300 A     1,9 В
VT(TO) Прямое падение напряжения в открытом состоянии (пороговое напряжение) Tvj = 130 °C     0,85 В
rT Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии, прямое дифференциальное сопротивление (для тиристоров) Tvj = 130 °C     4,0 мОм
IDD; IRD Постоянный ток в закрытом состоянии; Постоянный обратный ток Tvj = 130 °C; VRD = VRRM; VDD = VDRM     24 мА
tgd Длительность задержки, вносимой затвором Tj = 25 °C; IG = 1 A; diG/dt = 1 A/мкс   1   мкс
tgr Длительность спада, вносимого затвором VD = 0,67 * VDRM   2   мкс
tq Время выключения замкнутой цепи (тиристор) Tvj = 130 °C   150   мкс
IH Ток удержания Tvj = 25 °C   150 250 мА
IL Ток срабатывания (заперания) Tvj = 25 °C; RG = 33 Ом   300 600 мА
VGT Отпирающее напряжение затвора Tvj = 25 °C; d.c. 3,0     В
IGT Ток отпирания затвора Tvj = 25 °C; d.c. 150     мА
VGD Неотпирающее напряжение затвора Tvj = 130 °C; d.c.     0,25 В
IGD Неотпирающий ток затвора Tvj = 130 °C; d.c.     6,0 мА
Rth(j-c) Тепловое сопротивление переход-корпус   для чипа     0,32 K/Вт
для модуля     0,32 K/Вт
Модуль
Ms Монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M5 3   5 Н · м
Mt Монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M5 2,5   5 Н · м
a Максимальное ускорение при вибрации   5 * 9,81 m/s2
m Масса модуля     350   грамм