SKM214A

Цена: 1.00 EUR
Напряжение (V): 100
Ток (A): 125

SKM214A — электроизолированный MOSFET полумост (MB) в корпусе SEMITRANS® 2

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
VDS Напряжение сток-исток 100 В
ID Продолжительный протекающий ток                         125 А
SEMITRANS®2 количество в упаковке 8 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON:

http://www.semikron.com

 

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
MOSFET-транзистор
VDS Напряжение сток-исток   100 В
ID Продолжительный протекающий ток (МОП-транзисторы)   Ts = 25 °C 125 А
Ts = 80 °C 95 А
IDM Максимальное значение импульсного тока стока 1 мс 375 А
VGS Напряжение затвор-исток   ± 20 В
Tvj Эффективная температура p-n перехода   - 40 ... + 150 °C
Обратный диод
IF = - IS Прямой ток   125 A
IFM = - ISM Максимальный прямой ток   375 A
Модуль
Tstg Температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL Напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 минута 2500 В

 

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
MOSFET-транзистор
V(BR)DSS Напряжение пробоя сток-исток при закороченном затворе с истоком VGS = 0 В, ID = 0,25 мА 100     B
VGS(th) Пороговое напряжение затвор-исток VGS = VDS, ID = 1 мА 2,1 3 4 B
IDSS Ток отсечки сток-исток, затвор и исток закарочены VGS = 0 В, VDS = 100 В Tj = 25 °C   50 250 мкА
Tj = 125 °C   300 1000 мкА
IGSS Ток утечки затвор-исток, сток и исток закорочены VGS = 20 В, VDS = 0 В   10 100 нА
RDS(on) Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (для МОП-транзисторов) VGS = 10 В, ID = 78 А   10 13 мОм
gfs Крутизна в прямом направлении VDS = 25 В, ID = 78 А 40 60   S
CCHC Емкость кристалл-корпус (базовая пластина) VGS = 0 В, VDS = 25 В, f = 1 МГц     100 пФ
Ciss Входная емкость при закороченном выходе   9 12 нФ
Coss Выходная емкость   4 6 нФ
Crss Обратная переходная емкость   1,6 2,4 нФ
LDS Паразитная индуктивность стока-истока     20 нГн
td(on) Длительность задержки включения VDD = 50 В, ID = 78 А, VGS = 10 В, RG = 3,3 Ом   50   нс
tr Время нарастания   190   нс
td(off) Длительность задержки выключения   190   нс
tf Время спада   50   нс
Обратный диод
VSD Отрицательное напряжение исток-сток (прямое напряжение для обратно-включенного диода) IF = 250 А, VGS = 0 В   1,25 1,60 B
trr Длительность обратного восстановления Tj = 25 °C   320,00   нс
Qrr Заряд восстановления Tj = 25 °C   5,60 6,40 мкКл
Irr Ток обратного восстановления (условием измерения является tf и trr) Tj = 150 °C       А
Тепловые характеристики
Rth(j-c) Тепловое сопротивление переход-корпус для MOSFET     0,31 K/Вт
Rth(c-s) Тепловое сопротивление корпус-теплоотвод для модуля     0,07 K/Вт
Модуль
Ms Монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M6 4   5 Н · м
Mt Монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M5 2,5   3,5 Н · м
w Масса   160 грамм