SKB33/12

Цена: 1.00 EUR
Напряжение (V): 1200
Ток (A): ≤ 35
Конфигурация мостового модуля: Однофазный полууправляемый выпрямительный мост с антипараллельным диодом B2HKF

SKB33/12 —  однофазный полууправляемый тиристорный мост с антипараллельным диодом B2HKF в корпусе G 16

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение 1200 В
I    (Tс=62 °C) Постоянный выходной ток всей схемы 33 А
Корпус G 16 Количество в упаковке  6  шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

Цены на сайте указаны для оптовых количеств.

 

Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
ID Постоянный выходной ток всей схемы   Tc = 62 °C 33 А
Tc = 110 °C   А
IFSM Бросок прямого тока диода (ударный ток) 10 мс Tvj = 25 °C 370 А
Tvj = 130 °C 340 А
i2t Значение i2t 8,3 … 10 мс Tvj  = 25 °C 680 А2с
Tvj = 130 °C 580 А2с
VRSM Неповторяющееся максимальное обратное напряжение   1300 В
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение   1200 В
VDRM Повторяющееся максимальное напряжение в выключенном состоянии   1200 В
VT (Постоянное) прямое напряжение Tvj = 25 °C; IT = 75 A max. 2,5 В
VT(TO) Прямое падение напряжения в открытом состоянии (пороговое напряжение) Tvj = 130 °C max. 1,0 В
rT Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии, прямое дифференциальное сопротивление Tvj = 130 °C max. 15 мОм
IRD ; IDD Постоянный ток в закрытом состоянии; Постоянный обратный ток VRD = VRRM; VDD = VDRM Tvj = 25 °C   мА
Tvj = 130 °C 10 мА
Rth(j-c) Тепловое сопротивление переход-корпус   для чипа 2,6 K/Вт
для модуля 0,6 K/Вт
Rth(c-s) Тепловое сопротивление корпус-радиатор Для модуля 0,06 K/Вт
Tvj Эффективная температура p-n перехода   - 40 ... + 130 °C
Tstg Температура хранения   - 55 ... + 150 °C
VISOL Напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 мин 2500 В
1 c 3000 В
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода 5 ± 15 % Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов   Н · м
m Масса модуля   250 грамм