SKKD 150F 12 — быстрый диод-диодный электроизолированный модуль в корпусе SEMIPACK® 2
Обозначение |
Наименование |
Значение |
Единица измерения |
VRRM |
Повторяющееся максимальное обратное напряжение |
1200 |
В |
IFAV (sin.180; Tc=54°C) |
Средний прямой ток диода |
150 |
А |
SEMIPACK® 2 |
Количество в упаковке |
8 |
шт |
Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON:
http://www.semikron.com
Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
Значение |
Единица измерения |
Чип |
IFAV |
Средний прямой ток диода |
Sin. 180 ° |
Tc = 85 °C |
117 |
А |
Tc = 100 °C |
99 |
А |
IFRMS |
Действующее значение прямого тока |
|
220 |
А |
IFSM |
Бросок прямого тока диода (ударный ток) |
10 мс |
Tvj = 25 °C |
2000 |
А |
Tvj = 150 °C |
1800 |
А |
i2t |
Значение i2t |
8,3 … 10 мс |
Tvj = 25 °C |
20000 |
А2с |
Tvj = 150 °C |
16200 |
А2с |
VRSM |
Неповторяющееся максимальное обратное напряжение |
|
1200 |
В |
VRRM |
Повторяющееся максимальное обратное напряжение |
|
1200 |
В |
Tvj |
Эфaективная температура p-n перехода |
|
- 40 ... + 150 |
°C |
Модуль |
Tstg |
Температура хранения |
|
- 40 ... + 150 |
°C |
VISOL |
Напряжение испытания изоляции |
переменное напряжение 50Гц, |
1 мин |
4000 |
В |
1 c |
4800 |
В |
Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
Значение |
Единица измерения |
мин. |
ном. |
макс. |
Чип |
VF |
(Постоянное) прямое напряжение |
Tvj = 25 °C; IF = 150 A |
|
|
2.2 |
В |
VT(TO) |
Прямое падение напряжения в открытом состоянии (пороговое напряжение) |
Tvj = 150 °C |
|
|
1.2 |
В |
rT |
Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии, прямое дифференциальное сопротивление |
Tvj = 150 °C |
|
|
5.5 |
мОм |
IRD |
Постоянный ток в закрытом состоянии; Постоянный обратный ток |
Tvj = 150 °C; VRD = VRRM |
|
|
40 |
мА |
Qrr |
Заряд восстановления |
Tvj = 125 °C; IF = 150 A |
|
21 |
|
мкКл |
IRM |
Максимальный ток обратного восстановления |
- di/dt = 1000 А/мкс; VR = 600 В |
|
80 |
|
А |
trr |
Время обратного восстановления |
|
|
710 |
|
нс |
Err |
Рассеиваемая энергия в процессе обратного восстановления диода |
|
|
4.5 |
|
мДж |
Rth(j-c) |
Тепловое сопротивление переход-корпус |
|
для чипа |
|
|
0,2 |
K/Вт |
для модуля |
|
|
0,1 |
K/Вт |
Модуль |
Rth(c-s) |
Тепловое сопротивление корпус-радиатор |
чип |
|
0,1 |
|
K/Вт |
модуль |
|
0,05 |
|
K/Вт |
Ms |
монтажный вращающий момент |
для крепления теплоотвода с резьбой M5 |
5 ± 15% |
Н · м |
Mt |
монтажный вращающий момент |
для выводов с резьбой M5 |
5 ± 15% |
Н · м |
a |
Максимальное ускорение при вибрации |
|
|
|
5 * 9,81 |
m/s2 |
m |
Масса модуля |
|
|
160 |
|
грамм |