SKKD205F06

Цена: 1.00 EUR
Напряжение (V): 600
Ток (A): ≤ 200
Конфигурация модуля: Диод-диодный

SKKD 205F 06 быстрый диод-диодный электроизолированный модуль в корпусе SEMIPACK® 2

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение 600 В
IFAV                                     (sin.180; Tc=87°C) Средний прямой ток диода 205 А
SEMIPACK® 2 Количество в упаковке 8 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

 

Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
Чип
IFAV Средний прямой ток диода Sin. 180 ° Tc = 87 °C 205 А
     
IFRMS Действующее значение прямого тока   455 А
IFSM Бросок прямого тока диода (ударный ток) 10 мс Tvj = 25 °C 3500 А
Tvj = 150 °C 3000 А
i2t Значение i2t 8,3 … 10 мс Tvj = 25 °C 61250 А2с
Tvj = 150 °C 45000 А2с
VRSM Неповторяющееся максимальное обратное напряжение   600 В
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение   600 В
Tvj Эфaективная температура p-n перехода   - 40 ... + 150 °C
Модуль
Tstg Температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL Напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 мин 3600 В
1 c 3000 В

 

Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
Чип
VF (Постоянное) прямое напряжение Tvj = 25 °C; IF = 400 A     1.3 В
VT(TO) Прямое падение напряжения в открытом состоянии (пороговое напряжение) Tvj = 150 °C     0,9 В
rT Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии, прямое дифференциальное сопротивление Tvj = 150 °C     2,0 мОм
IRD Постоянный ток в закрытом состоянии; Постоянный обратный ток Tvj = 25 °С;    VRD = VRRM     0,4 мА
Tvj = 150 °C;  VRD = VRRM     30 мА
Qrr Заряд восстановления Tvj = 150 °C; IF = 300 A   25   мкКл
IRM Максимальный ток обратного восстановления - di/dt = 800 А/мкс; VR = 300 В   120   А
trr Время обратного восстановления     130   нс
Err Рассеиваемая энергия в процессе обратного восстановления диода       мДж
Rth(j-c) Тепловое сопротивление переход-корпус   для чипа   0,16   K/Вт
для модуля   0,08   K/Вт
Модуль
Rth(c-s) Тепловое сопротивление корпус-радиатор чип   0,1   K/Вт
модуль   0,05   K/Вт
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M5 5 ± 15% Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M5 5 ± 15% Н · м
a Максимальное ускорение при вибрации     5 * 9,81   m/s2
m Масса модуля     250   грамм