SKKE310F12

Цена: 1.00 EUR
Напряжение (V): 1200
Ток (A): ≤ 300
Конфигурация модуля: Одиночный диод

SKKE 310F 12быстрый диод-диодный электроизолированный модуль в корпусе SEMIPACK® 2

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение 1200 В
IFAV                                     (sin.180; Tc=84°C) Средний прямой ток диода 310 А
SEMIPACK® 2 Количество в упаковке 8 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON:

http://www.semikron.com

 

Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
Чип
IFAV Средний прямой ток диода Sin. 180 ° Tc = 85 °C 308 А
Tc = 100 °C 260  
IFRMS Действующее значение прямого тока   455 А
IFSM Бросок прямого тока диода (ударный ток) 10 мс Tvj = 25 °C 6500 А
Tvj = 150 °C 5500 А
i2t Значение i2t 8,3 … 10 мс Tvj = 25 °C 211000 А2с
Tvj = 150 °C 151000 А2с
VRSM Неповторяющееся максимальное обратное напряжение   1200 В
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение   1200 В
Tvj Эфaективная температура p-n перехода   - 40 ... + 150 °C
Модуль
Tstg Температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL Напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 мин 3000 В
1 c 3600 В

 

Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
Чип
VF (Постоянное) прямое напряжение Tvj = 25 °C; IF = 400 A     2,1 В
VT(TO) Прямое падение напряжения в открытом состоянии (пороговое напряжение) Tvj = 150 °C     1,2 В
rT Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии, прямое дифференциальное сопротивление Tvj = 150 °C     1,9 мОм
IRD Постоянный ток в закрытом состоянии; Постоянный обратный ток Tvj = 25 °С;    VRD = VRRM     2 мА
Tvj = 150 °C;  VRD = VRRM     60 мА
Qrr Заряд восстановления Tvj = 125 °C; IF = 400 A   58   мкКл
IRM Максимальный ток обратного восстановления - di/dt = 4000 А/мкс; VR = 600 В   400   А
trr Время обратного восстановления     370   нс
Err Рассеиваемая энергия в процессе обратного восстановления диода     22   мДж
Rth(j-c) Тепловое сопротивление переход-корпус   для чипа       K/Вт
для модуля   0,08   K/Вт
Модуль
Rth(c-s) Тепловое сопротивление корпус-радиатор чип       K/Вт
модуль   0,05   K/Вт
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M5 5 ± 15% Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M5 5 ± 15% Н · м
a Максимальное ускорение при вибрации     5 * 9,81   m/s2
m Масса модуля     250   грамм