SKKE330F17

Цена: 1.00 EUR
Напряжение (V): 1700
Ток (A): ≤ 330

SKKE330F17 — быстрый диодный электроизолированный модуль в корпусе SEMITRANS 4

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение 1700 В
IFAV                                     (sin.180; Tc=70°C) Средний прямой ток диода 330 А
SEMITRANS®4 Тип корпуса    

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON:

http://www.semikron.com

 

Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
Чип
IFAV Средний прямой ток диода Sin. 180 ° Tc = 85 °C 290 А
Tc = 100 °C 240 А
IFRMS Действующее значение прямого тока   450 А
IFSM Бросок прямого тока диода (ударный ток) 10 мс Tvj = 25 °C 6200 А
Tvj = 150 °C 5200 А
i2t Значение i2t 8,3 … 10 мс Tvj = 25 °C 192000 А2с
Tvj = 150 °C 135000 А2с
VRSM Неповторяющееся максимальное обратное напряжение   1700 В
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение   1700 В
Tvj Эфaективная температура p-n перехода   - 40 ... + 150 °C
Модуль
Tstg Температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL Напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 мин 4800 В
1 c 4000 В

 

Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
Чип
VF (Постоянное) прямое напряжение Tvj = 25 °C; IF = 330 A     2.0 В
VT(TO) Прямое падение напряжения в открытом состоянии (пороговое напряжение) Tvj = 150 °C     1.5 В
rT Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии, прямое дифференциальное сопротивление Tvj = 150 °C     1.9 мОм
IRD Постоянный ток в закрытом состоянии; Постоянный обратный ток Tvj = 25 °С;    VRD = VRRM     2 мА
Tvj = 150 °C;  VRD = VRRM     30 мА
Qrr Заряд восстановления Tvj = 125 °C; IF = 330 A   80   мкКл
IRM Максимальный ток обратного восстановления - di/dt = 2000 А/мкс; VR = 1200 В   220   А
trr Время обратного восстановления     990   нс
Err Рассеиваемая энергия в процессе обратного восстановления диода     25   мДж
Rth(j-c) Тепловое сопротивление переход-корпус   для чипа   0,079   K/Вт
для модуля        
Модуль
Rth(c-s) Тепловое сопротивление корпус-радиатор чип        
модуль   0,038   K/Вт
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M5 3 ... 5 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M5 2.5 ... 5 Н · м
a Максимальное ускорение при вибрации     5 * 9,81   m/s2
m Масса модуля     330   грамм