SKET400/18E

Цена: 1.00 EUR
Напряжение (V): 1800
Ток (A): ≤ 400
Конфигурация модуля: Одиночный тиристор

SKET 400/18 E — тиристорный электроизолированный модуль в корпусе SEMIPACK® 4

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение 1800 В
ITAV                     (sin.180; Tc=84°C) Среднее значение переменного тока в открытом состоянии тиристора 400 А
SEMIPACK® 4 Количество в упаковке 3 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

 

Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
Чип
ITAV Среднее значение переменного тока в открытом состоянии тиристора Sin. 180 ° Tc = 85 °C 392 А
Tc = 100 °C 280 А
ITSM Бросок тока в открытом состоянии (ударный ток) тиристора 10 мс Tj = 25 °C 14000 А
Tj = 130 °C 12000 А
i2t Значение i2t 10 мс T= 25 °C 980000 А2с
Tj = 130 °C 720000 А2с
ITRMS Действующее значение тока в открытом состоянии тиристора   700 А
VRSM Неповторяющееся максимальное обратное напряжение   1900 В
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение   1800 В
VDRM Повторяющееся максимальное напряжение в выключенном состоянии   1800 В
(di/dt)cr Критическое значение скорости нарастания тока Tj = 130 °C 125 А/мкс
(dv/dt)cr Критическое значение скорости нарастания напряжения Tj = 130 °C 1000 В/мкс
Tj Температура перехода   -40 ... +130 °C
Модуль
Tstg температура хранения   - 40 ... +130 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 мин 3000 В
1c 3600 В

 

Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
Чип
VT (Постоянное) напряжение во включенном состоянии (тиристор) Tj = 25 °C; IT = 2400 A     1,70 В
VT(TO) Прямое падение напряжения в открытом состоянии (пороговое напряжение) Tj = 130 °C     0,92 В
rT Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии, прямое дифференциальное сопротивление (для тиристоров) Tj = 130 °C     0,30 мОм
IDD; IRD Постоянный ток в закрытом состоянии; Постоянный обратный ток Tj = 130 °C; VRD = VRRM; VDD = VDRM     80 мА
tgd Длительность задержки, вносимой затвором Tj = 25 °C; IG = 1 A; diG/dt = 1 A/мкс   1   мкс
tgr Длительность спада, вносимого затвором VD = 0,67 * VDRM   2   мкс
tq Время выключения замкнутой цепи (тиристор) Tj = 130 °C 150   200 мкс
IH Ток удержания Tj = 25 °C   150 500 мА
IL Ток срабатывания (заперания) Tj = 25 °C; RG = 33 Ом   500 2000 мА
VGT Отпирающее напряжение затвора Tj = 25 °C; d.c. 3,00     В
IGT Ток отпирания затвора Tj = 25 °C; d.c. 2000     мА
VGD Неотпирающее напряжение затвора Tj = 130 °C; d.c.     0,25 В
IGD Неотпирающий ток затвора Tj = 130 °C; d.c.     10,00 мА
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус Cont. DC для чипа        
для модуля     0,090 K/Вт
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус Sin. 180 ° для чипа        
для модуля     0,095 K/Вт
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус Rec. 120 ° для чипа        
для модуля     0,110 K/Вт
Модуль
Rth(c-s) тепловое сопротивление корпус-радиатор чип        
модуль   0,02   K/Вт
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M5 5 ± 15 % Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M10 17 ± 15 % Н · м
a Максимальное ускорение при вибрации       5 * 9,81 m/s2
m масса модуля     940,00   грамм