SKKT 570/18 E — тиристор-тиристорный электроизолированный модуль в корпусе SEMIPACK® 5
Обозначение |
Наименование |
Значение |
Единица измерения |
VRRM |
Повторяющееся максимальное обратное напряжение |
1800 |
В |
ITAV (sin.180; Tc= 85°C) |
Среднее значение переменного тока в открытом состоянии |
570 |
А |
SEMIPACK® 5 |
Количество в упаковке |
2 |
шт |
Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com
Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
Значение |
Единица измерения |
Чип |
ITAV |
Среднее значение переменного тока в открытом состоянии тиристора |
Sin. 180 ° |
Tc = 85 °C |
470 |
А |
Tc = 100 °C |
435 |
А |
ITSM |
Бросок тока в открытом состоянии (ударный ток) тиристора |
10 мс |
Tvj = 25 °C |
19000 |
А |
Tvj = 135 °C |
15500 |
А |
i2t |
Значение i2t |
8,3 ... 10 мс |
Tvj = 25 °C |
1805000 |
А2с |
Tvj = 135 °C |
1201250 |
А2с |
VRSM |
Неповторяющееся максимальное обратное напряжение |
|
1900 |
В |
VRRM |
Повторяющееся максимальное обратное напряжение |
|
1800 |
В |
VDRM |
Повторяющееся максимальное напряжение в выключенном состоянии |
|
1800 |
В |
(di/dt)cr |
Критическое значение скорости нарастания тока |
Tvj = 135 °C |
макс. 250 |
А/мкс |
(dv/dt)cr |
Критическое значение скорости нарастания напряжения |
Tvj = 135 °C |
макс. 1000 |
В/мкс |
Tvj |
Эффекивная температура p-n перехода |
|
- 40 ... + 135 |
°C |
Модуль |
Tstg |
температура хранения |
|
- 40 ... + 125 |
°C |
VISOL |
напряжение испытания изоляции |
переменное напряжение 50Гц, |
1 мин |
3000 |
В |
1c |
3600 |
В |
Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
Значение |
Единица измерения |
мин. |
ном. |
макс. |
Чип |
VT |
(Постоянное) напряжение во включенном состоянии (тиристор) |
Tvj = 25 °C; IT = 1700 A |
|
|
1,44 |
В |
VT(TO) |
Прямое падение напряжения в открытом состоянии (пороговое напряжение) |
Tvj = 135 °C |
|
|
0,78 |
В |
rT |
Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии, прямое дифференциальное сопротивление (для тиристоров) |
Tvj = 135 °C |
|
|
0,32 |
мОм |
IDD; IRD |
Постоянный ток в закрытом состоянии; Постоянный обратный ток |
Tvj = 135 °C; VRD = VRRM; VDD = VDRM |
|
|
225 |
мА |
tgd |
Длительность задержки, вносимой затвором |
Tvj = 25 °C; IG = 1 A; diG/dt = 1 A/мкс |
|
1 |
|
мкс |
tgr |
Длительность спада, вносимого затвором |
VD = 0,67 * VDRM |
|
2 |
|
мкс |
tq |
Время выключения замкнутой цепи (тиристор) |
Tvj = 135 °C |
|
100 ... 200 |
|
мкс |
IH |
Ток удержания |
Tvj = 25 °C |
|
150 |
500 |
мА |
IL |
Ток срабатывания (заперания) |
Tvj = 25 °C; RG = 33 Ом |
|
300 |
2000 |
мА |
VGT |
Отпирающее напряжение затвора |
Tvj = 25 °C; d.c. |
3,0 |
|
|
В |
IGT |
Ток отпирания затвора |
Tvj = 25 °C; d.c. |
200 |
|
|
мА |
VGD |
Неотпирающее напряжение затвора |
Tvj = 135 °C; d.c. |
|
|
0,25 |
В |
IGD |
Неотпирающий ток затвора |
Tvj = 135 °C; d.c. |
|
|
10,0 |
мА |
Rth(j-c) |
тепловое сопротивление переход-корпус |
Cont. DC |
для чипа |
|
0,069 |
|
K/Вт |
для модуля |
|
0,034 |
|
K/Вт |
Rth(j-c) |
тепловое сопротивление переход-корпус |
Sin. 180 ° |
для чипа |
|
0,073 |
|
K/Вт |
для модуля |
|
0,036 |
|
K/Вт |
Rth(j-c) |
тепловое сопротивление переход-корпус |
Rec. 120 ° |
для чипа |
|
0,077 |
|
K/Вт |
для модуля |
|
0,038 |
|
K/Вт |
Модуль |
Rth(c-s) |
тепловое сопротивление корпус-радиатор |
чип |
|
0,02 |
|
K/Вт |
модуль |
|
0,01 |
|
K/Вт |
Ms |
монтажный вращающий момент |
для крепления теплоотвода с резьбой M5 |
5 ± 15 % |
Н · м |
Mt |
монтажный вращающий момент |
для выводов с резьбой M5 |
12 ± 15 % |
Н · м |
a |
Максимальное ускорение при вибрации |
|
|
|
5 * 9,81 |
m/s2 |
m |
масса модуля |
|
|
1400 |
|
грамм |