SKKT570/18E

Цена: 1.00 EUR
Напряжение (V): 1800
Ток (A): ≤ 570
Конфигурация модуля: Тиристор-тиристорный

SKKT 570/18 E — тиристор-тиристорный электроизолированный модуль в корпусе SEMIPACK® 5

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение 1800 В
ITAV       (sin.180; Tc= 85°C) Среднее значение переменного тока в открытом состоянии 570 А
SEMIPACK® 5 Количество в упаковке 2 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

 

Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
Чип
ITAV Среднее значение переменного тока в открытом состоянии тиристора Sin. 180 ° Tc = 85 °C 470 А
Tc = 100 °C 435 А
ITSM Бросок тока в открытом состоянии (ударный ток) тиристора 10 мс Tvj = 25 °C 19000 А
Tvj = 135 °C 15500 А
i2t Значение i2t 8,3 ... 10 мс Tvj  = 25 °C 1805000 А2с
Tvj = 135 °C 1201250 А2с
VRSM Неповторяющееся максимальное обратное напряжение   1900 В
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение   1800 В
VDRM Повторяющееся максимальное напряжение в выключенном состоянии   1800 В
(di/dt)cr Критическое значение скорости нарастания тока Tvj = 135 °C макс. 250 А/мкс
(dv/dt)cr Критическое значение скорости нарастания напряжения Tvj = 135 °C макс. 1000 В/мкс
Tvj Эффекивная температура p-n перехода   - 40 ... + 135 °C
Модуль
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 мин 3000 В
1c 3600 В

 

Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
Чип
VT (Постоянное) напряжение во включенном состоянии (тиристор) Tvj = 25 °C; IT = 1700 A     1,44 В
VT(TO) Прямое падение напряжения в открытом состоянии (пороговое напряжение) Tvj = 135 °C     0,78 В
rT Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии, прямое дифференциальное сопротивление (для тиристоров) Tvj = 135 °C     0,32 мОм
IDD; IRD Постоянный ток в закрытом состоянии; Постоянный обратный ток Tvj = 135 °C; VRD = VRRM; VDD = VDRM     225 мА
tgd Длительность задержки, вносимой затвором Tvj = 25 °C; IG = 1 A; diG/dt = 1 A/мкс   1   мкс
tgr Длительность спада, вносимого затвором VD = 0,67 * VDRM   2   мкс
tq Время выключения замкнутой цепи (тиристор) Tvj = 135 °C   100 ... 200   мкс
IH Ток удержания Tvj = 25 °C   150 500 мА
IL Ток срабатывания (заперания) Tvj = 25 °C; RG = 33 Ом   300 2000 мА
VGT Отпирающее напряжение затвора Tvj = 25 °C; d.c. 3,0     В
IGT Ток отпирания затвора Tvj = 25 °C; d.c. 200     мА
VGD Неотпирающее напряжение затвора Tvj = 135 °C; d.c.     0,25 В
IGD Неотпирающий ток затвора Tvj = 135 °C; d.c.     10,0 мА
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус Cont. DC для чипа   0,069   K/Вт
для модуля   0,034   K/Вт
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус Sin. 180 ° для чипа   0,073   K/Вт
для модуля   0,036   K/Вт
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус Rec. 120 ° для чипа   0,077   K/Вт
для модуля   0,038   K/Вт
Модуль
Rth(c-s) тепловое сопротивление корпус-радиатор чип   0,02   K/Вт
модуль   0,01   K/Вт
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M5 5 ± 15 % Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M5 12 ± 15 % Н · м
a Максимальное ускорение при вибрации       5 * 9,81 m/s2
m масса модуля     1400   грамм