SKKT72/16E

Цена: 1.00 EUR
Напряжение (V): 1600
Ток (A): ≤ 70
Конфигурация модуля: Тиристор-тиристорный

SKKT 72/16 E — тиристор-тиристорный электроизолированный модуль в корпусе SEMIPACK® 1

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение 1600 В
ITAV       (sin.180; Tc= 85°C) Среднее значение переменного тока в открытом состоянии 70 А
SEMIPACK®1 Количество в упаковке 12 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

 

Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
Чип
ITAV Среднее значение переменного тока в открытом состоянии тиристора Sin. 180 ° Tc = 85 °C 70 А
Tc = 100 °C 50 А
ITSM Бросок тока в открытом состоянии (ударный ток) тиристора 10 мс Tvj = 25 °C 1600 А
Tvj = 125 °C 1450 А
i2t Значение i2t 8.3 ... 10 мс Tvj  = 25 °C 13000 А2с
Tvj = 125 °C 10500 А2с
VRSM Неповторяющееся максимальное обратное напряжение   1700 В
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение   1600 В
VDRM Повторяющееся максимальное напряжение в выключенном состоянии   1600 В
(di/dt)cr Критическое значение скорости нарастания тока Tvj = 125 °C max. 150 А/мкс
(dv/dt)cr Критическое значение скорости нарастания напряжения Tvj = 125 °C max. 1000 В/мкс
Tvj Эффекивная температура p-n перехода   - 40 ... +125 °C
Модуль
Tstg температура хранения   - 40 ... +125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 мин 3000 В
1c 3600 В

 

Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
Чип
VT (Постоянное) напряжение во включенном состоянии (тиристор) Tvj = 25 °C; IT = 300 A     1,9 В
VT(TO) Прямое падение напряжения в открытом состоянии (пороговое напряжение) Tvj = 125 °C     0,9 В
rT Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии, прямое дифференциальное сопротивление (для тиристоров) Tvj = 125 °C     3,5 мОм
IDD; IRD Постоянный ток в закрытом состоянии; Постоянный обратный ток Tvj = 125 °C; VRD = VRRM; VDD = VDRM     20 мА
tgd Длительность задержки, вносимой затвором Tvj = 25 °C; IG = 1 A; diG/dt = 1 A/мкс   1   мкс
tgr Длительность спада, вносимого затвором VD = 0,67 * VDRM   1   мкс
tq Время выключения замкнутой цепи (тиристор) Tvj = 125 °C   80   мкс
IH Ток удержания Tvj = 25 °C   150 250 мА
IL Ток срабатывания (заперания) Tvj = 25 °C; RG = 33 Ом   300 600 мА
VGT Отпирающее напряжение затвора Tvj = 25 °C; d.c. 3,0     В
IGT Ток отпирания затвора Tvj = 25 °C; d.c. 150     мА
VGD Неотпирающее напряжение затвора Tvj = 125 °C; d.c.     0,25 В
IGD Неотпирающий ток затвора Tvj = 125 °C; d.c.     6,00 мА
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус Cont. DC для чипа   0,35   K/Вт
для модуля   0,18   K/Вт
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус Sin. 180 ° для чипа   0,37   K/Вт
для модуля   0,19   K/Вт
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус Rec. 120 ° для чипа   0,39   K/Вт
для модуля   0,20   K/Вт
Модуль
Rth(c-s) тепловое сопротивление корпус-радиатор чип   0,2   K/Вт
модуль   0,1   K/Вт
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M5 5 ± 15 % Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M5 3 ± 15 % Н · м
a Максимальное ускорение при вибрации       5 * 9,81 m/s2
m масса модуля     95   грамм