SKUT85/12T V2

Цена: 69.74 EUR
Напряжение (V): 1200
Ток (A): ≤ 100
Конфигурация модуля: Встречно параллельные 3ф.

SKUT 85/12T V2 — три симистора с термодатчиком в корпусе SEMIPONT® 5

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение 1200 В
ITAV       (sin.180; Tc=25°C) Среднее значение переменного тока в открытом состоянии 127 А
SEMIPONT® 5 Количество в упаковке 8 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

Цены на сайте указаны для оптовых количеств.

Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
Чип
ITAV Среднее значение переменного тока в открытом состоянии тиристора Sin. 180 ° Tc = 25 °C 127 А
Tc = 85 °C 71 А
ITSM Бросок тока в открытом состоянии (ударный ток) тиристора 10 мс Tj = 25 °C 1500 А
Tj = 130 °C 1250 А
i2t Значение i2t 10 мс T= 25 °C 11250 А2с
Tj = 130 °C 7813 А2с
VRSM Неповторяющееся максимальное обратное напряжение   1300 В
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение   1200 В
VDRM Повторяющееся максимальное напряжение в выключенном состоянии   1200 В
(di/dt)cr Критическое значение скорости нарастания тока Tj = 130 °C 50 А/мкс
(dv/dt)cr Критическое значение скорости нарастания напряжения Tj = 130 °C 500 В/мкс
Tj Температура перехода   -40 ... + 125 °C
Модуль
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 мин 3000 В
1c 3600 В

 

Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
Чип
VT (Постоянное) напряжение во включенном состоянии (тиристор) Tj = 25 °C; IT = 150 A     1,6 В
VT(TO) Прямое падение напряжения в открытом состоянии (пороговое напряжение) Tj = 130 °C     0,9 В
rT Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии, прямое дифференциальное сопротивление (для тиристоров) Tj = 130 °C     5 мОм
IDD; IRD Постоянный ток в закрытом состоянии; Постоянный обратный ток Tj = 130 °C; VRD = VRRM     20 мА
tgd Длительность задержки, вносимой затвором Tj = 25 °C; IG = 1 A; diG/dt = 1 A/мкс   1   мкс
tgr Длительность спада, вносимого затвором VD = 0,67 * VDRM   2   мкс
tq Время выключения замкнутой цепи (тиристор) Tj = 130 °C   150   мкс
IH Ток удержания Tj = 25 °C     200 мА
IL Ток срабатывания (заперания) Tj = 25 °C; RG = 33 Ом     600 мА
VGT Отпирающее напряжение затвора Tj = 25 °C; d.c. 3,0     В
IGT Ток отпирания затвора Tj = 25 °C; d.c. 100     мА
VGD Неотпирающее напряжение затвора Tj = 130 °C; d.c.     0,25 В
IGD Неотпирающий ток затвора Tj = 115 °C; d.c. 6     мА
Rth(j-s) тепловое сопротивление переход-радиатор Cont. DC для чипа       K/Вт
для модуля       K/Вт
Rth(j-s) тепловое сопротивление переход-радиатор Sin. 180 ° для чипа       K/Вт
для модуля     0,32 K/Вт
Rth(j-s) тепловое сопротивление переход-радиатор Rec. 120 ° для чипа       K/Вт
для модуля       K/Вт
Модуль
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода 2,25   2,5 Н · м
m масса модуля     75,00   грамм