SKKQ 560/18E — симисторный модуль с радиатором в корпусе SEMiSTART® 1
Обозначение |
Наименование |
Значение |
Единица измерения |
VRRM |
Повторяющееся максимальное обратное напряжение |
1800 |
В |
Ioverload |
W1C; sin.180; 20 c.; Tvjmax = 150 °C; Tvjstart = 40 °C |
560 |
А |
SEMiSTART® 1 |
Количество в упаковке |
3 |
шт |
Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com
Цены на сайте указаны для оптовых количеств.
Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
Значение |
Единица измерения |
Чип |
Ioverload |
Ток перегрузки |
W1C; Sin.180°; 20 сек. |
Tvjmax = 150 °C |
560 |
А |
Tvjstart = 40 °C |
ITSM |
Бросок тока в открытом состоянии (ударный ток) тиристора |
10 мс |
Tvj = 25 °C |
5700 |
А |
Tvj = 125 °C |
5200 |
А |
i2t |
Значение i2t |
8,3 ... 10 мс |
Tvj = 25 °C |
162000 |
А2с |
Tvj = 125 °C |
135000 |
А2с |
VRSM |
Неповторяющееся максимальное обратное напряжение |
|
1900 |
В |
VRRM |
Повторяющееся максимальное обратное напряжение |
|
1800 |
В |
VDRM |
Повторяющееся максимальное напряжение в выключенном состоянии |
|
1800 |
В |
(di/dt)cr |
Критическое значение скорости нарастания тока |
Tvj = 125 °C |
125 |
А/мкс |
(dv/dt)cr |
Критическое значение скорости нарастания напряжения |
Tvj = 125 °C |
1000 |
В/мкс |
Tvj |
Эффективная температура p-n перехода |
|
-40 ... + 125 |
°C |
Модуль |
Tstg |
температура хранения |
|
- 40 ... + 125 |
°C |
VISOL |
напряжение испытания изоляции |
переменное напряжение 50Гц, |
1 мин |
|
В |
1c |
|
В |
Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
Значение |
Единица измерения |
мин. |
ном. |
макс. |
Чип |
VT |
(Постоянное) напряжение во включенном состоянии (тиристор) |
Tvj = 25 °C; IT = 1000 A |
|
|
1,9 |
В |
VT(TO) |
Прямое падение напряжения в открытом состоянии (пороговое напряжение) |
Tvj = 125 °C |
|
|
0,9 |
В |
rT |
Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии, прямое дифференциальное сопротивление (для тиристоров) |
Tvj = 125 °C |
|
|
0,9 |
мОм |
IDD; IRD |
Постоянный ток в закрытом состоянии; Постоянный обратный ток |
Tvj = 125 °C; VRD = VRRM |
|
|
80 |
мА |
tgd |
Длительность задержки, вносимой затвором |
Tvj = 25 °C; IG = 1 A; diG/dt = 1 A/мкс |
|
1 |
|
мкс |
tgr |
Длительность спада, вносимого затвором |
VD = 0,67 * VDRM |
|
2 |
|
мкс |
tq |
Время выключения замкнутой цепи (тиристор) |
Tvj = 125 °C |
|
150 |
|
мкс |
IH |
Ток удержания |
Tvj = 25 °C |
|
150 |
400 |
мА |
IL |
Ток срабатывания (заперания) |
Tvj = 25 °C; RG = 33 Ом |
|
300 |
1000 |
мА |
VGT |
Отпирающее напряжение затвора |
Tvj = 25 °C; d.c. |
2,0 |
|
|
В |
IGT |
Ток отпирания затвора |
Tvj = 25 °C; d.c. |
150 |
|
|
мА |
VGD |
Неотпирающее напряжение затвора |
Tvj = 125 °C; d.c. |
|
|
0,25 |
В |
IGD |
Неотпирающий ток затвора |
Tvj = 125 °C; d.c. |
|
|
10 |
мА |
Rth(j-s) |
тепловое сопротивление переход-радиатор |
Cont. DC |
для чипа |
|
|
0,106 |
K/Вт |
для модуля |
|
|
|
K/Вт |
Модуль |
Mt |
монтажный вращающий момент |
|
5 ± 15% |
Н · м |
m |
масса модуля |
|
|
530,00 |
|
грамм |