SKKQ800/18E

Цена: 156.28 EUR
Напряжение (V): 1800
Ток (A): ≤ 800
Конфигурация модуля: Встречно параллельные 1ф.

SKKQ 800/18E — симисторный модуль с радиатором в корпусе SEMiSTART® 2

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение 1800 В
Ioverload         W1C; sin.180; 20 c.;                                    Tvjmax = 150 °C;  Tvjstart = 40 °C 800 А
SEMiSTART® 2 Количество в упаковке 3 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

Цены на сайте указаны для оптовых количеств.

Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
Чип
Ioverload Ток перегрузки W1C; Sin.180°;          20 сек. Tvjmax = 150 °C 800 А
Tvjstart = 40 °C
ITSM Бросок тока в открытом состоянии (ударный ток) тиристора 10 мс Tvj = 25 °C 5700 А
Tvj = 125 °C 5200 А
i2t Значение i2t 8,3 ... 10 мс Tvj  = 25 °C 162000 А2с
Tvj = 125 °C 135000 А2с
VRSM Неповторяющееся максимальное обратное напряжение   1900 В
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение   1800 В
VDRM Повторяющееся максимальное напряжение в выключенном состоянии   1800 В
(di/dt)cr Критическое значение скорости нарастания тока Tvj = 125 °C 125 А/мкс
(dv/dt)cr Критическое значение скорости нарастания напряжения Tvj = 125 °C 1000 В/мкс
Tvj Эффективная температура p-n перехода   -40 ... + 125 °C
Модуль
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 мин   В
1c   В

 

Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
Чип
VT (Постоянное) напряжение во включенном состоянии (тиристор) Tvj = 25 °C; IT = 1000 A     1,9 В
VT(TO) Прямое падение напряжения в открытом состоянии (пороговое напряжение) Tvj = 125 °C     0,9 В
rT Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии, прямое дифференциальное сопротивление (для тиристоров) Tvj = 125 °C     0,8 мОм
IDD; IRD Постоянный ток в закрытом состоянии; Постоянный обратный ток Tvj = 125 °C; VRD = VRRM     80 мА
tgd Длительность задержки, вносимой затвором Tvj = 25 °C; IG = 1 A; diG/dt = 1 A/мкс   1   мкс
tgr Длительность спада, вносимого затвором VD = 0,67 * VDRM   2   мкс
tq Время выключения замкнутой цепи (тиристор) Tvj = 125 °C   150   мкс
IH Ток удержания Tvj = 25 °C   150 400 мА
IL Ток срабатывания (заперания) Tvj = 25 °C; RG = 33 Ом   300 1000 мА
VGT Отпирающее напряжение затвора Tvj = 25 °C; d.c. 2,0     В
IGT Ток отпирания затвора Tvj = 25 °C; d.c. 150     мА
VGD Неотпирающее напряжение затвора Tvj = 125 °C; d.c.     0,25 В
IGD Неотпирающий ток затвора Tvj = 125 °C; d.c.     10 мА
Rth(j-s) тепловое сопротивление переход-радиатор Cont. DC для чипа     0,106 K/Вт
для модуля       K/Вт
Модуль
Mt монтажный вращающий момент   5 ± 15% Н · м
m масса модуля     1200,0   грамм