SK50MLI066

Цена: 1.00 EUR
Напряжение (V): 600
Ток (A): ≤ 50
Конфигурация IGBT модуля:

SK50MLI066 —  электроизолированный IGBT модль в корпусе SEMITOP®3 для применения в трехуровневых инверторах. Наиболее часто подобная схема используется в источниках бесперебойного питания (UPS) мощностью 5–40 кВт.

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
Unom номинальное напряжение 600 В
ICnom длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса 50 А
SEMITOP®3 количество в упаковке 10 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON:

http://www.semikron.com

 

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра теплоотвода Ts = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером Tj = 25 °C 600 В
IC ток коллектора Tj = 175 °C Ts = 25 °C 60 А
Ts = 70 °C 50 А
ICnom номинальный ток коллектора   50 А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора ICRM = 2 x ICnom 100 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
tpsc устойчивость к коротком замыканию Tj = 150 °C VCC = 360 В 6 мкс
VGE <= 20 В
VCES <= 600 В
Обратный диод
IF прямой ток Tj = 175 °C Ts = 25 °C 56 A
Ts = 70 °C 44 A
IFnom номинальный нок   50 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 2 x IFnom 100 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C 320 A
Свободный диод
IF прямой ток Tj = 175 °C Ts = 25 °C 56 A
Ts = 70 °C 44 A
IFnom номинальный прямой ток   30 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 2 x IFnom 60 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; T= 150 °C 320 A
Модуль
Tvj эффективная температура p-n перехода   - 40 ... + 175 °C
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 минута 2500 В

 

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
IGBT-транзистор
VCE(sat) напряжение насыщения коллектор-эмиттер ICnom = 50 А, VGE = 15 В, на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,45   B
Tj = 150 °C   1,65   B
VCE0 пороговое напряжение коллектор-эмиттер   Tj = 25 °C   0,9 1,1 B
Tj = 150 °C   0,8 1,0 B
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 В Tj = 25 °C   11   мОм
Tj = 150 °C   17   мОм
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE, IC = 0.8 мА 5,0 5,8 6,5 B
IGES ток утечки затвор-эмиттер, коллектор с эмиттером закорочен VCE = 0 В, VGE = 20 В, Tj = 25 °C     600 нА
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером

VGE = 0,

VCE = VCES

Tj = 25 °C     0,0026 мА
Tj = 150 °C       мА
Cies входная емкость

VGE = 0,

VCE = 25 В

f = 1 МГц   3,1   нФ
Coes выходная емкость f = 1 МГц   0,2   нФ
Cres обратная переходная емкость f = 1 МГц   0,093   нФ
td(on) длительность задержки включения

VCC = 300 В,

IC = 50 А,

VGE = -7 / + 15 В,

RGon = 16 Ом,

RGoff = 16 Ом,

 

Tj = 150 °C   30   нс
tr время нарастания Tj = 150 °C   31   нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения Tj = 150 °C   1,46   мДж
td(off) длительность задержки выключения Tj = 150 °C   351   нс
tf время спада Tj = 150 °C   45   нс
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения Tj = 150 °C   2,02   мДж
Rth(j-s) тепловое сопротивление переход-теплоотвод для IGBT   1,11   K/Вт
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IFnom = 50 А, VGE = 0 В, на уровне кристалла

Tj = 25 °C   1,5   B
Tj = 150 °C   1,5   B
VF0 пороговое напряжение   Tj = 25 °C   1,0   B
Tj = 150 °C   0,9   B
rF сопротивление в открытом состоянии   Tj = 25 °C   10   мОм
Tj = 150 °C   12   мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IF = 50 А

 

 

VR = 300 В

Tj = 150 °C       А
Qrr заряд восстановления Tj = 150 °C       мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 150 °C   1,07   мДж
Rth(j-c)D тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода   1,7   K/Вт
Свободный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IFnom = 50 A, VGE = 0 В,   на уровне кристалла

Tj = 25 °C   1,5   B
Tj = 150 °C   1,5   B
VF0 пороговое напряжение   Tj = 25 °C   1,0   B
Tj = 150 °C   0,9   B
rF сопротивление в открытом состоянии   Tj = 25 °C   10   мОм
Tj = 150 °C   12   мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IF = 50 А,

di/dt = - 2670 A/мкс,

VR = 300 В

Tj = 150 °C   40   А
Qrr заряд восстановления Tj = 150 °C   2,2   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 150 °C   1,07   мДж
Rth(j-c)D тепловое сопротивление переход-корпус для свободного диода   1,7   K/Вт
Модуль
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода 2,25   2,5 Н · м
w масса       30 грамм
652365346 Скачать