Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C) |
Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
Значение |
Единица измерения |
мин. |
ном. |
макс. |
IGBT-транзистор |
VCE(sat) |
напряжение насыщения коллектор-эмиттер |
ICnom = 50 А, VGE = 15 В, на уровне кристалла |
Tj = 25 °C |
|
1,45 |
|
B |
Tj = 150 °C |
|
1,65 |
|
B |
VCE0 |
пороговое напряжение коллектор-эмиттер |
|
Tj = 25 °C |
|
0,9 |
1,1 |
B |
Tj = 150 °C |
|
0,8 |
1,0 |
B |
rCE |
дифференциальное сопротивление открытого канала |
VGE = 15 В |
Tj = 25 °C |
|
11 |
|
мОм |
Tj = 150 °C |
|
17 |
|
мОм |
VGE(th) |
пороговое напряжение затвор-эмиттер |
VGE = VCE, IC = 0.8 мА |
5,0 |
5,8 |
6,5 |
B |
IGES |
ток утечки затвор-эмиттер, коллектор с эмиттером закорочен |
VCE = 0 В, VGE = 20 В, Tj = 25 °C |
|
|
600 |
нА |
ICES |
коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером |
VGE = 0,
VCE = VCES
|
Tj = 25 °C |
|
|
0,0026 |
мА |
Tj = 150 °C |
|
|
|
мА |
Cies |
входная емкость |
VGE = 0,
VCE = 25 В
|
f = 1 МГц |
|
3,1 |
|
нФ |
Coes |
выходная емкость |
f = 1 МГц |
|
0,2 |
|
нФ |
Cres |
обратная переходная емкость |
f = 1 МГц |
|
0,093 |
|
нФ |
td(on) |
длительность задержки включения |
VCC = 300 В,
IC = 50 А,
VGE = -7 / + 15 В,
RGon = 16 Ом,
RGoff = 16 Ом,
|
Tj = 150 °C |
|
30 |
|
нс |
tr |
время нарастания |
Tj = 150 °C |
|
31 |
|
нс |
Eon |
рассеиваемая энергия в процессе включения |
Tj = 150 °C |
|
1,46 |
|
мДж |
td(off) |
длительность задержки выключения |
Tj = 150 °C |
|
351 |
|
нс |
tf |
время спада |
Tj = 150 °C |
|
45 |
|
нс |
Eoff |
рассеиваемая энергия в процессе выключения |
Tj = 150 °C |
|
2,02 |
|
мДж |
Rth(j-s) |
тепловое сопротивление переход-теплоотвод |
для IGBT |
|
1,11 |
|
K/Вт |
Обратный диод |
VF = VEC |
постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе |
IFnom = 50 А, VGE = 0 В, на уровне кристалла
|
Tj = 25 °C |
|
1,5 |
|
B |
Tj = 150 °C |
|
1,5 |
|
B |
VF0 |
пороговое напряжение |
|
Tj = 25 °C |
|
1,0 |
|
B |
Tj = 150 °C |
|
0,9 |
|
B |
rF |
сопротивление в открытом состоянии |
|
Tj = 25 °C |
|
10 |
|
мОм |
Tj = 150 °C |
|
12 |
|
мОм |
IRRM |
максимальный ток обратного восстановления |
IF = 50 А
VR = 300 В
|
Tj = 150 °C |
|
|
|
А |
Qrr |
заряд восстановления |
Tj = 150 °C |
|
|
|
мкКл |
Err |
рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение |
Tj = 150 °C |
|
1,07 |
|
мДж |
Rth(j-c)D |
тепловое сопротивление переход-корпус |
для обратного диода |
|
1,7 |
|
K/Вт |
Свободный диод |
VF = VEC |
постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе |
IFnom = 50 A, VGE = 0 В, на уровне кристалла
|
Tj = 25 °C |
|
1,5 |
|
B |
Tj = 150 °C |
|
1,5 |
|
B |
VF0 |
пороговое напряжение |
|
Tj = 25 °C |
|
1,0 |
|
B |
Tj = 150 °C |
|
0,9 |
|
B |
rF |
сопротивление в открытом состоянии |
|
Tj = 25 °C |
|
10 |
|
мОм |
Tj = 150 °C |
|
12 |
|
мОм |
IRRM |
максимальный ток обратного восстановления |
IF = 50 А,
di/dt = - 2670 A/мкс,
VR = 300 В
|
Tj = 150 °C |
|
40 |
|
А |
Qrr |
заряд восстановления |
Tj = 150 °C |
|
2,2 |
|
мкКл |
Err |
рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение |
Tj = 150 °C |
|
1,07 |
|
мДж |
Rth(j-c)D |
тепловое сопротивление переход-корпус |
для свободного диода |
|
1,7 |
|
K/Вт |
Модуль |
Ms |
монтажный вращающий момент |
для крепления теплоотвода |
2,25 |
|
2,5 |
Н · м |
w |
масса |
|
|
|
30 |
грамм |