SK75GB12T4T

Цена: 1.00 EUR
Напряжение (V): 1200
Ток (A): ≤ 75
Конфигурация IGBT модуля:

SK75GB12T4T —  IGBT полумост с температурным датчиком (GB-T) в корпусе SEMITOP 3

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
Unom номинальное напряжение 1200 В
ICnom длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса 75 А
SEMITOP®3 количество в упаковке 10 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON:

http://www.semikron.com

 

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температура теплоотвода Ts = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером Tj = 25 °C 1200 В
IC ток коллектора Tj = 175 °C Ts = 25 °C 80 А
Ts = 70 °C 65 А
ICnom номинальный ток коллектора   75 А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора ICRM = 3 x ICnom ; tимп <= 1 мс 225 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
tpsc устойчивость к коротком замыканию Tj = 150 °C VCC = 800 В 10 мкс
VGE <= 15 В
VCES <= 1200 В
Tvj эффективная температура p-n перехода   - 40 ... + 175 °C
Обратный диод
IF прямой ток Tj = 175 °C Ts = 25 °C 70 A
Ts = 70 °C 55 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 3xIFnom ; tимп <= 1 мс 225 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C 425 A
Tj температура перехода   - 40 ... + 175 °C
Модуль
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 минута 2500 В

 

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температура теплоотвода Ts = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
IGBT-транзистор
VCE(sat) напряжение насыщения коллектор-эмиттер ICnom = 75 А, VGE = 15 В, на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,85 2,05 B
Tj = 150 °C   2,25 2,45 B
VCE0 пороговое напряжение коллектор-эмиттер   Tj = 25 °C   1,1 1,3 B
Tj = 150 °C   1,0 1,2 B
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 В Tj = 25 °C   10   мОм
Tj = 150 °C   16   мОм
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE, IC = 3,0 мА 5,0 5,8 6,5 B
IGES ток утечки затвор-эмиттер, коллектор с эмиттером закорочен VCE = 0 В; VGE = 20 В; Tj = 25 °C     600 нА
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером

VGE = 0,

VCE = VCES

Tj = 25 °C     0,01 мА
Tj = 125 °C   0.4   мА
Cies входная емкость

VGE = 0,

VCE = 25 В

f = 1 МГц   4,4   нФ
Coes выходная емкость f = 1 МГц   0,29   нФ
Cres обратная переходная емкость f = 1 МГц   0,235   нФ
QG заряд затвора VGE = - 8 В….+ 15 В   570   нКл
RGint внутреннее сопротивление затвора Tj = 25 °C   10   Ом
td(on) длительность задержки включения

VCC = 600 В,

IC = 75 А,

VGE = -7/ +15 В,

RGon = 24 Ом,

RGoff = 24 Ом,

di/dt = 1360 А/мкс,

 

Tj = 150 °C   63   нс
tr время нарастания Tj = 150 °C   65   нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения Tj = 150 °C   13,6   мДж
td(off) длительность задержки выключения Tj = 150 °C   521   нс
tf время спада Tj = 150 °C   80   нс
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения Tj = 150 °C   8,2   мДж
Rth(j-s) тепловое сопротивление переход-теплоотвод для IGBT   0,74   K/Вт
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IFnom = 75 А,

VGE = 0 В,

на уровне кристалла

Tj = 25 °C   2,1 2,5 B
Tj = 150 °C   2,4 2,5 B
VF0 пороговое напряжение   Tj = 25 °C   1,3 1,5 B
Tj = 150 °C   0,9 1,1 B
rF сопротивление в открытом состоянии   Tj = 25 °C   12 13,3 мОм
Tj = 150 °C   16 17,3 мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IF = 75 А,

di/dt = 1360 A/мкс,

VCC = 600 В

Tj = 150 °C   41   А
Qrr заряд восстановления Tj = 150 °C   10,6   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 150 °C   3,39   мДж
Rth(j-s)D тепловое сопротивление переход-теплоотвод для обратного диода   0,97   K/Вт
Температурный сенсор
R100   TS = 100°C (R25 = 5 кОм) 493 ± 5%
 
Ом
Модуль
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода     2,5 Н · м
w масса       30 грамм