SKM100GAL123D

Цена: 51.27 EUR
Напряжение (V): 1200
Ток (A): ≤ 100
Конфигурация IGBT модуля: Нижний чоппер

SKM100GAL123D — нижний IGBT чоппер (GAL) в корпусе SEMITRANS® 2

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
Unom номинальное напряжение 1200 В
ICnom длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса 75 А
SEMITRANS®2 количество в упаковке 8 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

Цены на сайте указаны для оптовых количеств.

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером Tj = 25 °C 1200 В
IC ток коллектора Tj = 150 °C Tc = 25 °C 100 А
Tc = 80 °C 90 А
ICnom номинальный ток коллектора   75 А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора ICRM = 2 x ICnom 150 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
tpsc устойчивость к коротком замыканию VCC = 800 В;     VGE <= 15 В; VCES <= 1200 В Tj = 125 °C 10 мкс
         
Tj температура перехода   - 40 ... + 150 °C
Обратный диод
IF прямой ток Tj = 150 °C Tc = 25 °C 95 A
Tc = 80 °C 65 A
IFnom номинальный ток   75 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 2 x IFnom 150 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 25 °C 720 A
Tj температура перехода   - 40 ... + 150 °C
Свободный диод
IF прямой ток Tj = 150 °C Tc = 25 °C 130 A
Tc = 80 °C 90 A
IFnom номинальный прямой ток   100 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 2 x IFnom 200 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; T= 150 °C 900 A
Tj температура перехода   - 40 ... 150 °C
Модуль
It(RMS)   Tterminal = 80 °C 200 A
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 минута 2500 В

 

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
IGBT-транзистор
VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения IC = 75 А; VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C       B
Tj = 125 °C   2,5 3,0 B
VCE0 пороговое напряжение коллектор-эмиттер   Tj = 25 °C   1,4 1,6 B
Tj = 125 °C   1,6 1,8 B
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 В Tj = 25 °C   14,6 18,6 мОм
Tj = 150 °C   20,0 25,3 мОм
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE; IC = 2 мА 4,5 5,5 6,5 B
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером

VGE = 0;

VCE = 1200 В

Tj = 25 °C   0,1 0,3 мА
Tj = 125 °C       мА
Cies входная емкость

VGE = 0;

VCE = 25 В

f = 1 МГц   5 6,6 нФ
Coes выходная емкость f = 1 МГц   0,72 0,9 нФ
Cres обратная переходная емкость f = 1 МГц   0,38 0,5 нФ
QG заряд затвора VGE = - 8 В ... + 15 В   750   нКл
RGint внутреннее сопротивление затвора Tj = 25 °C   5   Ом
td(on) длительность задержки включения

VCC = 600 В;

IC = 75 А;

VGE = ± 15 В;

RGon = 15 Ом;

RGoff = 15 Ом;

Tj = 125 °C   30 60 нс
tr время нарастания Tj = 125 °C   70 140 нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения Tj = 150 °C   10   мДж
td(off) длительность задержки выключения Tj = 125 °C   450 600 нс
tf время спада Tj = 125 °C   70 90 нс
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения Tj = 125 °C   8   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT     0,18 K/Вт
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IF = 750 А;

VGE = 0 В;        на уровне кристалла

Tj = 25 °C   2,0 2,5 B
Tj = 125 °C   1,8   B
VF0 пороговое напряжение   Tj = 25 °C   1,1 1,2 B
Tj = 125 °C       B
rF сопротивление в открытом состоянии   Tj = 25 °C   12 17 мОм
Tj = 125 °C       мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IF = 75 А;

di/dtoff = 800 A/мкс;

VGE = 0 В;

VCC = 600 В

Tj = 125 °C   40   А
Qrr заряд восстановления Tj = 125 °C   3   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 125 °C       мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода     0,5 K/Вт
Свободный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IF = 100 A;

VGE = 0 В

Tj = 25 °C   2,0 2,5 B
Tj = 125 °C   1,8   B
VF0 пороговое напряжение   Tj = 25 °C   1,1 1,2 B
Tj = 125 °C       B
rF сопротивление в открытом состоянии   Tj = 25 °C   9 13 мОм
Tj = 125 °C       мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IF = 100 А;

di/dtoff = 1000 A/мкс;

VGE = 0 В;

VCC = 600 В

Tj = 125 °C   50   А
Qrr заряд восстановления Tj = 125 °C   5   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 125 °C       мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для свободного диода     0,36 K/Вт
Модуль
LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера       30 нГн
RCC'+EE' суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера температура выводов полупроводника Tc = 25 °C   0,75   мОм
Tc = 125 °C   1,0   мОм
Rth(c-s) тепловое сопротивление корпус-теплоотвод для модуля   0,04 0,05 K/Вт
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M6 3   5 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M5 2,5   5 Н · м
w масса       160 грамм