SKM100GAR17E4

Цена: 1.00 EUR
Напряжение (V): 1700
Ток (A): ≤ 100
Конфигурация IGBT модуля: Верхний чоппер

SKM100GAR17E4 — верхний IGBT чоппер (GAR) в корпусе SEMITRANS® 2

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
Unom номинальное напряжение 1700 В
ICnom длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса 100 А
SEMITRANS®2 количество в упаковке 8 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

Цены на сайте указаны для оптовых количеств.

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером Tj = 25 °C 1700 В
IC ток коллектора Tj = 175 °C Tc = 25 °C 164 А
Tc = 80 °C 127 А
ICnom номинальный ток коллектора   100 А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора ICRM = 3 x ICnom 300 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
tpsc устойчивость к коротком замыканию VCC = 1000 В;     VGE <= 15 В; VCES <= 1700 В Tj = 150 °C 10 мкс
         
Tj температура перехода   - 40 ... + 175 °C
Обратный диод
IF прямой ток Tj = 175 °C Tc = 25 °C 113 A
Tc = 80 °C 83 A
IFnom номинальный ток   100 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 2 x IFnom 200 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 25 °C 650 A
Tj температура перехода   - 40 ... + 175 °C
Свободный диод
IF прямой ток Tj = 175 °C Tc = 25 °C 113 A
Tc = 80 °C 83 A
IFnom номинальный прямой ток   100 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 2 x IFnom 200 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; T= 25 °C 650 A
Tj температура перехода   - 40 ... 175 °C
Модуль
It(RMS)   Tterminal = 80 °C 200 A
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 минута 4000 В

 

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
IGBT-транзистор
VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения IC = 100 А; VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,9 2,2 B
Tj = 150 °C   2,3 2,6 B
VCE0 пороговое напряжение коллектор-эмиттер   Tj = 25 °C   0,8 0,9 B
Tj = 150 °C   0,7 0,8 B
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 В Tj = 25 °C   11 13 мОм
Tj = 150 °C   16 18 мОм
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE; IC = 4 мА 5,2 5,8 6,4 B
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером

VGE = 0;

VCE = 1200 В

Tj = 25 °C     1 мА
Tj = 150 °C       мА
Cies входная емкость

VGE = 0;

VCE = 25 В

f = 1 МГц   9   нФ
Coes выходная емкость f = 1 МГц   0,34   нФ
Cres обратная переходная емкость f = 1 МГц   0,29   нФ
QG заряд затвора VGE = - 8 В ... + 15 В   800   нКл
RGint внутреннее сопротивление затвора Tj = 25 °C   7,5   Ом
td(on) длительность задержки включения

VCC = 1200 В;

IC = 100 А;

VGE = ± 15 В;

RGon = 2 Ом;

RGoff = 2 Ом;

di/dton =  А/мкс;

di/dtoff =  А/мкс

Tj = 150 °C   200   нс
tr время нарастания Tj = 150 °C   25   нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения Tj = 150 °C   29   мДж
td(off) длительность задержки выключения Tj = 150 °C   7600   нс
tf время спада Tj = 150 °C   140   нс
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения Tj = 150 °C   45   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT     0,234 K/Вт
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IF = 100 А;

VGE = 0 В;        на уровне кристалла

Tj = 25 °C   2,0 2,4 B
Tj = 150 °C   2,15 2,57 B
VF0 пороговое напряжение   Tj = 25 °C   1,32 1,56 B
Tj = 150 °C   1,08 1,22 B
rF сопротивление в открытом состоянии   Tj = 25 °C   6,8 8,4 мОм
Tj = 150 °C   10,7 13,5 мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IF = 100 А;

di/dtoff = A/мкс;

VGE = ± 15В;

VCC = 1200 В

Tj = 150 °C   180   А
Qrr заряд восстановления Tj = 150 °C   43   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 150 °C   32   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода     0,504 K/Вт
Свободный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IF = 100 A;

VGE = 0 В

Tj = 25 °C   2,0 2,4 B
Tj = 150 °C   2,15 2,57 B
VF0 пороговое напряжение   Tj = 25 °C   1,32 1,56 B
Tj = 150 °C   1,08 1,22 B
rF сопротивление в открытом состоянии   Tj = 25 °C   6,8 8,4 мОм
Tj = 150 °C   10,7 13,5 мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IF = 100 А;

di/dtoff = A/мкс;

VGE = ± 15В;

VCC = 1200 В

Tj = 150 °C   180   А
Qrr заряд восстановления Tj = 150 °C   43   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 150 °C   32   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для свободного диода     0,504 K/Вт
Модуль
LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера       30 нГн
RCC'+EE' суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера температура выводов полупроводника Tc = 25 °C   0,65   мОм
Tc = 125 °C   1,0   мОм
Rth(c-s) тепловое сопротивление корпус-теплоотвод для модуля   0,04 0,05 K/Вт
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M6 3   5 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M5 2,5   5 Н · м
w масса       160 грамм