SKM100GB173D

Цена: 100.08 EUR
Напряжение (V): 1700
Ток (A): ≤ 100
Конфигурация IGBT модуля: Полумост

SKM100GB173D — электроизолированный IGBT полумост (GВ) в корпусе SEMITRANS® 2

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
Unom номинальное напряжение 1700 В
IC, (TC = 80°C)  ток коллектора 75 А
SEMITRANS®2 количество в упаковке 8 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

Цены на сайте указаны для оптовых количеств.

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером   1700 В
IC ток коллектора   Tc = 25 °C 110 А
Tc = 80 °C 75 А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора Tc = 25 °C,  tp = 1 мс 220 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
Tj температура перехода   - 40 ... + 150 °C
Обратный диод
IF прямой ток Tj = 150 °C Tc = 25 °C 80 A
Tc = 80 °C 50 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 2 x IFnom 150 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C 7200 A
Tj температура перехода   - 40 ... + 150 °C
Модуль
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 минута 4000 В

 

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
IGBT-транзистор
VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения IC = 75 А; VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   3,4 3,9 B
Tj = 125 °C   4,4 5,0 B
VCE0 пороговое напряжение коллектор-эмиттер   Tj = 25 °C   1,65 1,9 B
Tj = 125 °C   1,9 2,15 B
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 В Tj = 25 °C   23,3 26,6 мОм
Tj = 125 °C   33,3 38,0 мОм
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE; IC = 6 мА 4,8 5,5 6,2 B
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером

VGE = 0;

VCE = VCES

Tj = 25 °C   0,1 0,3 мА
Tj = 125 °C       мА
Cies входная емкость

VGE = 0;

VCE = 25 В

f = 1 МГц   11   нФ
Coes выходная емкость f = 1 МГц   1   нФ
Cres обратная переходная емкость f = 1 МГц   0,28   нФ
QG заряд затвора VGE = - 8 В ... + 15 В       нКл
RGint внутреннее сопротивление затвора Tj = 25 °C       Ом
td(on) длительность задержки включения

VCC = 1200 В;

IC = 75 А;

VGE = ± 15 В;

RGon = 10 Ом;

RGoff = 10 Ом;

Tj = 125 °C   40   нс
tr время нарастания Tj = 125 °C   45   нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения Tj = 125 °C   35   мДж
td(off) длительность задержки выключения Tj = 125 °C   400   нс
tf время спада Tj = 125 °C   56   нс
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения Tj = 125 °C   21   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT     0,2 K/Вт
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IF = 75 А;

VGE = 0 В;        на уровне кристалла

Tj = 25 °C   2,2 2,7 B
Tj = 125 °C   2,0 2,3 B
VF0 пороговое напряжение   Tj = 25 °C       B
Tj = 125 °C   1,3 1,5 B
rF сопротивление в открытом состоянии   Tj = 25 °C       мОм
Tj = 125 °C   9,0 13,0 мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IF = 75 А;

di/dtoff =  A/мкс;

VGE = В;

VCC =  В

Tj = 125 °C   51   А
Qrr заряд восстановления Tj = 125 °C   19   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 125 °C       мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода     0,63 K/Вт
Модуль
LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера       30 нГн
RCC'+EE' суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера температура выводов полупроводника Tc = 25 °C       мОм
Tc = 125 °C       мОм
Rth(c-s) тепловое сопротивление корпус-теплоотвод для модуля     0,05 K/Вт
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M6 3   5 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M5 2,5   5 Н · м
w масса       160 грамм