SKM800GB176D

Цена: 163.92 EUR
Напряжение (V): 1700
Ток (A): ≤ 800
Конфигурация IGBT модуля: Одиночный

SKM800GB176Dэлектроизолированный одиночный IGBT  (GA) в корпусе SEMITRANS® 4

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
Unom номинальное напряжение 1700 В
ICnom длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса 600 А
SEMITRANS®4 количество в упаковке 12 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

Цены на сайте указаны для оптовых количеств.

 

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером Tj = 25 °C 1700 В
IC ток коллектора Tj = 150 °C Tc = 25 °C 830 А
Tc = 80 °C 590 А
ICnom номинальный ток коллектора   600 А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора ICRM = 2 x ICnom 1200 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
tpsc устойчивость к коротком замыканию VCC = 1200 В;     VGE <= 15 В; VCES <= 1700 В Tj = 125 °C 10 мкс
         
Tj температура перехода   - 40 ... + 150 °C
Обратный диод
IF прямой ток Tj = 150 °C Tc = 25 °C 630 A
Tc = 80 °C 440 A
IFnom номинальный ток   600 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 2 x IFnom 1200 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C 3600 A
Tj температура перехода   - 40 ... + 150 °C
Модуль
It(RMS)   Tterminal = 80 °C 500 A
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 минута 4000 В

 

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
IGBT-транзистор
VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения IC = 600 А; VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   2,0 2,45 B
Tj = 125 °C   2,45 2,9 B
VCE0 пороговое напряжение коллектор-эмиттер на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,0 1,2 B
Tj = 125 °C   0,9 1,1 B
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,7 2,1 мОм
Tj = 125 °C   2,5   мОм
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер

VGE = VCE; IC = 24 мА

5,2 5,8 6,5 B
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером

VGE = 0;

VCE = 1200 В

Tj = 25 °C     4 мА
Tj = 125 °C       мА
Cies входная емкость

VGE = 0;

VCE = 25 В

f = 1 МГц   39,6   нФ
Coes выходная емкость f = 1 МГц   2,2   нФ
Cres обратная переходная емкость f = 1 МГц   2,5   нФ
QG заряд затвора VGE = - 8 В ... + 15 В   4800   нКл
RGint внутреннее сопротивление затвора Tj = 25 °C   1,88   Ом
td(on) длительность задержки включения

VCC = 1200 В;

IC = 600 А;

VGE = ± 15 В;

RGon = 3,0 Ом;

RGoff = 3,0 Ом;

Tj = 125 °C   230   нс
tr время нарастания Tj = 125 °C   90   нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения Tj = 125 °C   335   мДж
td(off) длительность задержки выключения Tj = 125 °C   1030   нс
tf время спада Tj = 125 °C   160   нс
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения Tj = 125 °C   245   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT     0,04 K/Вт
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IF = 6400 А;

VGE = 0 В;        на уровне кристалла

Tj = 25 °C   1,6 1,9 B
Tj = 125 °C   1,6   B
VF0 пороговое напряжение на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,1 1,3 B
Tj = 125 °C       B
rF сопротивление в открытом состоянии на уровне кристалла Tj = 25 °C   0,83 1,0 мОм
Tj = 125 °C       мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IF = 600 А;

di/dt = 6400 A/мкс;

VGE = - 15В;

VCC = 1200 В

Tj = 125 °C   650   А
Qrr заряд восстановления Tj = 125 °C   230   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 125 °C   155   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода     0,07 K/Вт
Модуль
LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера     15 20 нГн
RCC'+EE' суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера температура выводов полупроводника Tc = 25 °C   0,18   мОм
Tc = 125 °C   0,22   мОм
Rth(c-s) тепловое сопротивление корпус-теплоотвод для модуля     0,038 K/Вт
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M6 3   5 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M6 2,5   5 Н · м
w масса       330 грамм