Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C) |
Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
Значение |
Единица измерения |
мин. |
ном. |
макс. |
IGBT-транзистор |
VCE(sat) |
напряжение коллектор-эмиттер насыщения |
IC = 600 А; VGE = 15 В; на уровне кристалла |
Tj = 25 °C |
|
2,0 |
2,45 |
B |
Tj = 125 °C |
|
2,45 |
2,9 |
B |
VCE0 |
пороговое напряжение коллектор-эмиттер |
на уровне кристалла |
Tj = 25 °C |
|
1,0 |
1,2 |
B |
Tj = 125 °C |
|
0,9 |
1,1 |
B |
rCE |
дифференциальное сопротивление открытого канала |
VGE = 15 В; на уровне кристалла |
Tj = 25 °C |
|
1,7 |
2,1 |
мОм |
Tj = 125 °C |
|
2,5 |
|
мОм |
VGE(th) |
пороговое напряжение затвор-эмиттер |
VGE = VCE; IC = 24 мА
|
5,2 |
5,8 |
6,5 |
B |
ICES |
коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером |
VGE = 0;
VCE = 1200 В
|
Tj = 25 °C |
|
|
4 |
мА |
Tj = 125 °C |
|
|
|
мА |
Cies |
входная емкость |
VGE = 0;
VCE = 25 В
|
f = 1 МГц |
|
39,6 |
|
нФ |
Coes |
выходная емкость |
f = 1 МГц |
|
2,2 |
|
нФ |
Cres |
обратная переходная емкость |
f = 1 МГц |
|
2,5 |
|
нФ |
QG |
заряд затвора |
VGE = - 8 В ... + 15 В |
|
4800 |
|
нКл |
RGint |
внутреннее сопротивление затвора |
Tj = 25 °C |
|
1,88 |
|
Ом |
td(on) |
длительность задержки включения |
VCC = 1200 В;
IC = 600 А;
VGE = ± 15 В;
RGon = 3,0 Ом;
RGoff = 3,0 Ом;
|
Tj = 125 °C |
|
230 |
|
нс |
tr |
время нарастания |
Tj = 125 °C |
|
90 |
|
нс |
Eon |
рассеиваемая энергия в процессе включения |
Tj = 125 °C |
|
335 |
|
мДж |
td(off) |
длительность задержки выключения |
Tj = 125 °C |
|
1030 |
|
нс |
tf |
время спада |
Tj = 125 °C |
|
160 |
|
нс |
Eoff |
рассеиваемая энергия в процессе выключения |
Tj = 125 °C |
|
245 |
|
мДж |
Rth(j-c) |
тепловое сопротивление переход-корпус |
для IGBT |
|
|
0,04 |
K/Вт |
Обратный диод |
VF = VEC |
постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе |
IF = 6400 А;
VGE = 0 В; на уровне кристалла
|
Tj = 25 °C |
|
1,6 |
1,9 |
B |
Tj = 125 °C |
|
1,6 |
|
B |
VF0 |
пороговое напряжение |
на уровне кристалла |
Tj = 25 °C |
|
1,1 |
1,3 |
B |
Tj = 125 °C |
|
|
|
B |
rF |
сопротивление в открытом состоянии |
на уровне кристалла |
Tj = 25 °C |
|
0,83 |
1,0 |
мОм |
Tj = 125 °C |
|
|
|
мОм |
IRRM |
максимальный ток обратного восстановления |
IF = 600 А;
di/dt = 6400 A/мкс;
VGE = - 15В;
VCC = 1200 В
|
Tj = 125 °C |
|
650 |
|
А |
Qrr |
заряд восстановления |
Tj = 125 °C |
|
230 |
|
мкКл |
Err |
рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение |
Tj = 125 °C |
|
155 |
|
мДж |
Rth(j-c) |
тепловое сопротивление переход-корпус |
для обратного диода |
|
|
0,07 |
K/Вт |
Модуль |
LCE |
паразитная индуктивность коллектора-эмиттера |
|
|
15 |
20 |
нГн |
RCC'+EE' |
суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера |
температура выводов полупроводника |
Tc = 25 °C |
|
0,18 |
|
мОм |
Tc = 125 °C |
|
0,22 |
|
мОм |
Rth(c-s) |
тепловое сопротивление корпус-теплоотвод |
для модуля |
|
|
0,038 |
K/Вт |
Ms |
монтажный вращающий момент |
для крепления теплоотвода с резьбой M6 |
3 |
|
5 |
Н · м |
Mt |
монтажный вращающий момент |
для выводов с резьбой M6 |
2,5 |
|
5 |
Н · м |
w |
масса |
|
|
|
330 |
грамм |