Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C) |
Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
Значение |
Единица измерения |
мин. |
ном. |
макс. |
IGBT-транзистор |
VCE(sat) |
напряжение насыщения коллектор-эмиттер |
IC = 150 А; VGE = 15 В; на уровне кристалла |
Tj = 25 °C |
|
1,48 |
1,85 |
B |
Tj = 150 °C |
|
1,7 |
2,1 |
B |
VCE0 |
пороговое напряжение коллектор-эмиттер |
|
Tj = 25 °C |
|
0,9 |
1,0 |
B |
Tj = 150 °C |
|
0,85 |
0,9 |
B |
rCE |
дифференциальное сопротивление открытого канала |
VGE = 15 В |
Tj = 25 °C |
|
3,7 |
5,7 |
мОм |
Tj = 150 °C |
|
5,7 |
8,0 |
мОм |
VGE(th) |
пороговое напряжение затвор-эмиттер |
VGE = VCE; IC = 2,4 мА |
5,0 |
5,8 |
6,5 |
B |
ICES |
коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером |
VGE = 0;
VCE = 600 В
|
Tj = 25 °C |
|
0,15 |
0,45 |
мА |
Tj = 150 °C |
|
|
|
мА |
Cies |
входная емкость |
VCE = 25 В; VGE = 0
|
f = 1 МГц |
|
9,2 |
|
нФ |
Coes |
выходная емкость |
f = 1 МГц |
|
0,58 |
|
нФ |
Cres |
обратная переходная емкость |
f = 1 МГц |
|
0,27 |
|
нФ |
QG |
заряд затвора |
VGE = - 8 В….+ 15 В |
|
1200 |
|
нКл |
RGint |
внутреннее сопротивление затвора |
Tj = 25 °C |
|
2,0 |
|
Ом |
td(on) |
длительность задержки включения |
VCC = 300 В;
IC = 150 А;
VGE = ± 15 В;
RGon = 4,5 Ом;
RGoff = 4,5 Ом;
di/dton = А/мкс;
di/dtoff = А/мкс
|
Tj = 150 °C |
|
140 |
|
нс |
tr |
время нарастания |
Tj = 150 °C |
|
40 |
|
нс |
Eon |
рассеиваемая энергия в процессе включения |
Tj = 150 °C |
|
3,8 |
|
мДж |
td(off) |
длительность задержки выключения |
Tj = 150 °C |
|
385 |
|
нс |
tf |
время спада |
Tj = 150 °C |
|
40 |
|
нс |
Eoff |
рассеиваемая энергия в процессе выключения |
Tj = 150 °C |
|
6,1 |
|
мДж |
Rth(j-c) |
тепловое сопротивление переход-корпус |
для IGBT |
|
|
0,29 |
K/Вт |
Обратный диод |
VF = VEC |
постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе |
IF = 150 А;
VGE = 0 В; на уровне чипа
|
Tj = 25 °C |
|
1,4 |
1,6 |
B |
Tj = 150 °C |
|
1,4 |
1,6 |
B |
VF0 |
пороговое напряжение |
|
Tj = 25 °C |
0,9 |
1,0 |
1,1 |
B |
Tj = 150 °C |
0,75 |
0,85 |
0,95 |
B |
rF |
сопротивление в открытом состоянии |
|
Tj = 25 °C |
2 |
2,7 |
3,3 |
мОм |
Tj = 150 °C |
3 |
3,7 |
4,3 |
мОм |
IRRM |
максимальный ток обратного восстановления |
IF = 150 А;
di/dtoff = 3000 A/мкс;
VGE = - 8 В;
VCC = 300 В
|
Tj = 150 °C |
|
155 |
|
А |
Qrr |
заряд восстановления |
Tj = 150 °C |
|
24 |
|
мкКл |
Err |
рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение |
Tj = 150 °C |
|
5,8 |
|
мДж |
Rth(j-c) |
тепловое сопротивление переход-корпус |
для обратного диода |
|
|
0,36 |
K/Вт |
Модуль |
LCE |
паразитная индуктивность коллектора-эмиттера |
|
|
20 |
|
нГн |
RCC'+EE' |
суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера |
температура выводов полупроводника |
Tc = 25 °C |
|
0,7 |
|
мОм |
Tc = 125 °C |
|
1,0 |
|
мОм |
Rth(c-s) |
тепловое сопротивление корпус-теплоотвод |
для модуля |
|
0,04 |
|
K/Вт |
Ms |
монтажный вращающий момент |
для крепления теплоотвода с резьбой M5 |
3 |
|
5 |
Н · м |
Mt |
монтажный вращающий момент |
для выводов с резьбой M6 |
2,5 |
|
5 |
Н · м |
w |
масса |
|
|
|
350 |
грамм |