SEMiX302KD16s

Цена: 64.88 EUR
Напряжение (V): 1600
Ток (A): ≤ 300
Конфигурация модуля: Диод-диодный

SEMiX302KD16s — диод-диодный электроизолированный модуль в корпусе SEMiX® 2

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение 1600 В

IFAV

(sin.180; Tc=85°C)

Средний прямой ток диода 300 А
SEMiX® 2 Количество в упаковке 6 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

Цены на сайте указаны для оптовых количеств.

 

Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
Чип
IFAV Средний прямой ток диода Sin. 180 ° Tc = 85 °C 300 А
Tc = 100 °C 240 А
IFSM Бросок прямого тока диода (ударный ток) 10 мс Tj = 25 °C 8500 А
Tj = 130 °C 7500 А
i2t Значение i2t 10 мс T= 25 °C 361000 А2с
Tj = 130 °C 281000 А2с
VRSM Неповторяющееся максимальное обратное напряжение   1700 В
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение   1600 В
Tj Температура перехода   -40 ... +130 °C
Модуль
Tstg температура хранения   - 40 ... +125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 мин 4000 В
1c 4800 В

 

Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
Чип
VF (Постоянное) прямое напряжение Tj = 25 °C; IF = 900 A     1,6 В
VT(TO) Прямое падение напряжения в открытом состоянии (пороговое напряжение) Tj = 130 °C     0,85 В
rT Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии, прямое дифференциальное сопротивление Tj = 130 °C     1,1 мОм
IRD Постоянный ток в закрытом состоянии; Постоянный обратный ток Tj = 130 °C;  VRRM     15 мА
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус Cont. DC для чипа       K/Вт
для модуля       K/Вт
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус Sin. 180 ° для чипа     0,091 K/Вт
для модуля       K/Вт
Модуль
Rth(c-s) тепловое сопротивление корпус-радиатор чип       K/Вт
модуль   0,045   K/Вт
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M5 3   5 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M5 2,5   5 Н · м
a Максимальное ускорение при вибрации       5 * 9,81 m/s2
m масса модуля     250   грамм