SEMiX302KT16s

Цена: 72.33 EUR
Напряжение (V): 1600
Ток (A): ≤ 300
Конфигурация модуля: Тиристор-тиристорный

SEMiX302KT16s — тиристор-тиристорный электроизолированный модуль в корпусе SEMiX® 2

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение 1600 В
ITAV       (sin.180; Tc=85°C) Среднее значение переменного тока в открытом состоянии 300 А
SEMiX® 2 Количество в упаковке 6 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

Цены на сайте указаны для оптовых количеств.

 

Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
Чип
ITAV Среднее значение переменного тока в открытом состоянии тиристора Sin. 180 ° Tc = 85 °C 300 А
Tc = 100 °C 230 А
ITSM Бросок тока в открытом состоянии (ударный ток) тиристора 10 мс Tj = 25 °C 9300 А
Tj = 130 °C 8000 А
i2t Значение i2t 10 мс T= 25 °C 432000 А2с
Tj = 130 °C 320000 А2с
VRSM Неповторяющееся максимальное обратное напряжение   1700 В
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение   1600 В
VDRM Повторяющееся максимальное напряжение в выключенном состоянии   1600 В
(di/dt)cr Критическое значение скорости нарастания тока Tj = 130 °C 130 А/мкс
(dv/dt)cr Критическое значение скорости нарастания напряжения Tj = 130 °C 1000 В/мкс
Tj Температура перехода   -40 ... 130 °C
Модуль
Tstg температура хранения   - 40 ... 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 мин 4000 В
1c 4800 В

 

Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
Чип
VT (Постоянное) напряжение во включенном состоянии (тиристор) Tj = 25 °C; IT = 900 A     1,7 В
VT(TO) Прямое падение напряжения в открытом состоянии (пороговое напряжение) Tj = 130 °C     0,85 В
rT Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии, прямое дифференциальное сопротивление (для тиристоров) Tj = 130 °C     1,7 мОм
IDD; IRD Постоянный ток в закрытом состоянии; Постоянный обратный ток Tj = 130 °C; VRD = VRRM; VDD = VDRM     75 мА
tgd Длительность задержки, вносимой затвором Tj = 25 °C; IG = 1 A; diG/dt = 1 A/мкс   1   мкс
tgr Длительность спада, вносимого затвором VD = 0,67 * VDRM   2   мкс
tq Время выключения замкнутой цепи (тиристор) Tj = 130 °C   150   мкс
IH Ток удержания Tj = 25 °C   150 500 мА
IL Ток срабатывания (заперания) Tj = 25 °C; RG = 33 Ом   300 1000 мА
VGT Отпирающее напряжение затвора Tj = 25 °C; d.c. 3,0     В
IGT Ток отпирания затвора Tj = 25 °C; d.c. 200     мА
VGD Неотпирающее напряжение затвора Tj = 130 °C; d.c.     0,25 В
IGD Неотпирающий ток затвора Tj = 130 °C; d.c.     10 мА
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус Cont. DC для чипа       K/Вт
для модуля       K/Вт
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус Sin. 180 ° для чипа     0,091 K/Вт
для модуля       K/Вт
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус Rec. 120 ° для чипа       K/Вт
для модуля       K/Вт
Модуль
Rth(c-s) тепловое сопротивление корпус-радиатор чип       K/Вт
модуль   0,045   K/Вт
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M5 3   5 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M5 2,5   5 Н · м
a Максимальное ускорение при вибрации       5 * 9,81 m/s2
m масса модуля     250   грамм