SKBH28/08

SKBH28/08
zoom Увеличить изображение
SKBH28/08 SKBH28/08
Цена: 1.00 EUR
Напряжение (V): 800
Ток (A): ≤ 50
Конфигурация мостового модуля: Однофазный полууправляемый выпрямительный мост B2HK

SKBH28/08 — Однофазный полууправляемый выпрямительный мост B2HK в корпусе SEMIPONT® 1

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение 800 В
ID       (Tc = 89°C) Постоянный выходной ток всей схемы 28 А
SEMIPONT® 1 Количество в упаковке 18 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

Цены на сайте указаны для оптовых количеств.

 

Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
Чип
ID Постоянный выходной ток всей схемы   Tc = 85 °C 30 А
Tc = 89 °C 28 А
ITSM Бросок тока в открытом состоянии (ударный ток) тиристора 10 мс Tvj = 25 °C 320 А
Tvj = 125 °C 280 А
i2t Значение i2t 8.3 ... 10 мс Tvj = 25 °C 510 А2с
Tvj = 125 °C 390 А2с
VRSM Неповторяющееся максимальное обратное напряжение   800 В
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение   800 В
VDRM Повторяющееся максимальное напряжение в выключенном состоянии   800 В
(di/dt)cr Критическое значение скорости нарастания тока Tvj = 125 °C max. 50 А/мкс
(dv/dt)cr Критическое значение скорости нарастания напряжения Tvj = 125 °C max. 500 В/мкс
Tvj Эффективная температура p-n перехода   - 40 ... + 125 °C
Модуль
Tstg Температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL Напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 мин 3000 В
1c 3600 В
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
Чип
VT (Постоянное) напряжение во включенном состоянии (тиристор) Tvj = 25 °C; IT = 75 A     2,25 В
VT(TO) Прямое падение напряжения в открытом состоянии (пороговое напряжение) Tvj = 125 °C     1,0 В
rT Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии, прямое дифференциальное сопротивление (для тиристоров) Tvj = 125 °C     16 мОм
IDD; IRD Постоянный ток в закрытом состоянии; Постоянный обратный ток Tvj = 125 °C; VRD = VRRM; VDD = VDRM     8 мА
tgd Длительность задержки, вносимой затвором Tvj = 25 °C; IG = 1 A; diG/dt = 1 A/мкс   1   мкс
tgr Длительность спада, вносимого затвором VD = 0,67 * VDRM   1   мкс
tq Время выключения замкнутой цепи (тиристор) Tvj = 125 °C   80   мкс
IH Ток удержания Tvj = 25 °C   50 150 мА
IL Ток срабатывания (заперания) Tvj = 25 °C; RG = 33 Ом   100 300 мА
VGT Отпирающее напряжение затвора Tvj = 25 °C; d.c. 2,0     В
IGT Ток отпирания затвора Tvj = 25 °C; d.c. 100     мА
VGD Неотпирающее напряжение затвора Tvj = 125 °C; d.c.     0,25 В
IGD Неотпирающий ток затвора Tvj = 125 °C; d.c.     3,0 мА
Rth(j-c) Тепловое сопротивление переход-корпус   для чипа   1,8   K/Вт
для модуля   0,45   K/Вт
Модуль
Rth(c-s) Тепловое сопротивление корпус-радиатор чип       K/Вт
модуль   0,1   K/Вт
Ms Монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M5 2 Н · м
Mt Монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M5 - Н · м
a Максимальное ускорение при вибрации   - m/s2
m Масса модуля     66   грамм