SKDT115/16

SKDT115/16
zoom Увеличить изображение
SKDT115/16 SKDT115/16 SKDT115/16
Цена: 88.04 EUR
Напряжение (V): 1600
Ток (A): ≤ 200
Конфигурация мостового модуля: Трёхфазный управляемый выпрямительный мост B6C

SKDT115/16 — трёхфазный управляемый выпрямительный мост B6C в корпусе SEMIPONT® 5

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение 1600 В
ID       (Tc = 80°C) Постоянный выходной ток всей схемы 110 А
SEMIPONT® 5 Количество в упаковке 8 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

Цены на сайте указаны для оптовых количеств.

 

Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
Чип
ID Постоянный выходной ток всей схемы   Tc = 80 °C 110 А
Tc = 100 °C   А
ITSM Бросок тока в открытом состоянии (ударный ток) тиристора 10 мс Tvj = 25 °C 1050 А
Tvj = 125 °C 950 А
i2t Значение i2t 8.3 ... 10 мс Tvj = 25 °C 5500 А2с
Tvj = 125 °C 4500 А2с
VRSM Неповторяющееся максимальное обратное напряжение   1700 В
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение   1600 В
VDRM Повторяющееся максимальное напряжение в выключенном состоянии   1600 В
(di/dt)cr Критическое значение скорости нарастания тока Tvj = 125 °C max. 50 А/мкс
(dv/dt)cr Критическое значение скорости нарастания напряжения Tvj = 125 °C max. 500 В/мкс
Tvj Эффективная температура p-n перехода   - 40 ... + 125 °C
Модуль
Tstg Температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL Напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 мин 3000 В
1c 3600 В
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
Чип
VT (Постоянное) напряжение во включенном состоянии (тиристор) Tvj = 25 °C; IT = 120 A     1,8 В
VT(TO) Прямое падение напряжения в открытом состоянии (пороговое напряжение) Tvj = 125 °C     1,1 В
rT Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии, прямое дифференциальное сопротивление (для тиристоров) Tvj = 125 °C     6 мОм
IDD; IRD Постоянный ток в закрытом состоянии; Постоянный обратный ток Tvj = 125 °C; VRD = VRRM; VDD = VDRM     20 мА
tgd Длительность задержки, вносимой затвором Tj = 25 °C; IG = 1 A; diG/dt = 1 A/мкс       мкс
tgr Длительность спада, вносимого затвором VD = 0,67 * VDRM       мкс
tq Время выключения замкнутой цепи (тиристор) Tvj = 125 °C   150   мкс
IH Ток удержания Tvj = 25 °C   - 200 мА
IL Ток срабатывания (заперания) Tvj = 25 °C; RG = 33 Ом   - 400 мА
VGT Отпирающее напряжение затвора Tvj = 25 °C; d.c. 3,0     В
IGT Ток отпирания затвора Tvj = 25 °C; d.c. 150     мА
VGD Неотпирающее напряжение затвора Tvj = 125 °C; d.c.     0,25 В
IGD Неотпирающий ток затвора Tvj = 125 °C; d.c.     5,0 мА
Rth(j-c) Тепловое сопротивление переход-корпус   для чипа   0,84   K/Вт
для модуля       K/Вт
Модуль
Ms Монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода 2,5 Н · м
m Масса модуля     75   грамм