SEMiX251D12Fs

SEMiX251D12Fs
zoom Увеличить изображение
SEMiX251D12Fs SEMiX251D12Fs SEMiX251D12Fs SEMiX251D12Fs
Цена: 75.11 EUR
Напряжение (V): 1200
Ток (A): ≤ 300
Конфигурация мостового модуля: Трёхфазный выпрямительный мост B6U

SEMiX251D12Fs —  трёхфазный выпрямительный мост B6C в корпусе SEMiX® 13

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение 1200 В
ID     (Tс=85 °C) Постоянный выходной ток всей схемы 256 А
SEMiX® 13 Количество в упаковке 4  шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

 

Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
ID Постоянный выходной ток всей схемы   Tc = 85 °C 256 А
Tc = 100 °C 217 А
IFSM Бросок прямого тока диода (ударный ток) 10 мс Tvj = 25 °C 1660 А
Tvj = 150 °C 1330 А
i2t Значение i2t 8,3 … 10 мс Tvj  = 25 °C 13700 А2с
Tvj = 150 °C 8800 А2с
VRSM Неповторяющееся максимальное обратное напряжение   1200 В
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение   1200 В
VF (Постоянное) прямое напряжение Tvj = 25 °C; IF = 155 A max. 2,5 В
V(TO) Прямое падение напряжения в открытом состоянии (пороговое напряжение) Tvj = 125 °C max. 1,2 В
rT Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии, прямое дифференциальное сопротивление Tvj = 125 °C max. 7 мОм
IRD Постоянный ток в закрытом состоянии; Постоянный обратный ток VRD = VRRM; VDD = VDRM Tvj = 25 °C - мА
Tvj = 125 °C max. 40 мА
Rth(j-c) Тепловое сопротивление переход-корпус   для чипа 0,26 K/Вт
для модуля - K/Вт
Rth(c-s) Тепловое сопротивление корпус-радиатор Для модуля 0,04 K/Вт
Tvj Эффективная температура p-n перехода   - 40 ... + 150 °C
Tstg Температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL Напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 мин 4000 В
1 c 4800 В
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M5 3   5 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M6 2,5   5 Н · м
a     5 * 9,81 m/s2
m Масса модуля   350 грамм