SKKE301F12

SKKE301F12
zoom Увеличить изображение
SKKE301F12 SKKE301F12 SKKE301F12
Цена: 1.00 EUR
Напряжение (V): 1200
Ток (A): ≤ 300

SKKE301F12 — быстрый диодный электроизолированный модуль в корпусе SEMIPACK 2

 

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение 1200 В
IFAV                                     (sin.180; Tc=43°C) Средний прямой ток диода 300 А
SEMIPACK®2 Тип корпуса    

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON:

http://www.semikron.com

 

Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
Чип
IFAV Средний прямой ток диода Sin. 180 ° Tc = 85 °C 220 А
Tc = 100 °C 185 А
IFRMS Действующее значение прямого тока   450 А
IFSM Бросок прямого тока диода (ударный ток) 10 мс Tvj = 25 °C 4000 А
Tvj = 150 °C 3600 А
i2t Значение i2t 8,3 … 10 мс Tvj = 25 °C 80000 А2с
Tvj = 150 °C 64800 А2с
VRSM Неповторяющееся максимальное обратное напряжение   1200 В
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение   1200 В
Tvj Эфaективная температура p-n перехода   - 40 ... + 150 °C
Модуль
Tstg Температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL Напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 мин 4800 В
1 c 4000 В

 

Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
Чип
VF (Постоянное) прямое напряжение Tvj = 25 °C; IF = 300 A     2.2 В
VT(TO) Прямое падение напряжения в открытом состоянии (пороговое напряжение) Tvj = 150 °C     1.2 В
rT Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии, прямое дифференциальное сопротивление Tvj = 150 °C     2.75 мОм
IRD Постоянный ток в закрытом состоянии; Постоянный обратный ток Tvj = 25 °С;    VRD = VRRM     1 мА
Tvj = 150 °C;  VRD = VRRM     80 мА
Qrr Заряд восстановления Tvj = 125 °C; IF = 300 A   42   мкКл
IRM Максимальный ток обратного восстановления - di/dt = 2000 А/мкс; VR = 600 В   165   А
trr Время обратного восстановления     690   нс
Err Рассеиваемая энергия в процессе обратного восстановления диода     10.8   мДж
Rth(j-c) Тепловое сопротивление переход-корпус   для чипа   0,11   K/Вт
для модуля        
Модуль
Rth(c-s) Тепловое сопротивление корпус-радиатор чип        
модуль   0,05   K/Вт
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M5 5 ± 15% Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M5 5 ± 15% Н · м
a Максимальное ускорение при вибрации     5 * 9,81   m/s2
m Масса модуля     160   грамм