SKKE1200/22H4

SKKE1200/22H4
zoom Увеличить изображение
SKKE1200/22H4 SKKE1200/22H4
Цена: 1.00 EUR
Напряжение (V): 2200
Ток (A): ≤ 1800
Конфигурация модуля: Одиночный диод

SKKE 1200/22 H4 — диодный электроизолированный модуль SEMIKRON в корпусе SEMIPACK® 6

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение 2200 В

IFAV   

(sin.180;   Tc=85°)              

Средний прямой ток диода 1376 А
SEMIPACK® 6 Количество в упаковке 1 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

 

Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
Чип
IFAV Средний прямой ток диода Sin. 180 ° Tc = 85 °C 1376 А
Tc = 100 °C 1180 А
IFSM Бросок прямого тока диода (ударный ток) 10 мс Tvj = 25 °C 45000 А
Tvj = 160 °C 40000 А
i2t Значение i2t 10 мс Tvj = 25 °C 10125000 А2с
Tvj = 160 °C 8000000 А2с
VRSM Неповторяющееся максимальное обратное напряжение   2200 В
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение   2200 В
Tvj Температура перехода   - 40 ... + 160 °C
Модуль
Tstg Температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL Напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 мин 4000 В
1 c 4800 В

 

Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
Чип
VF (Постоянное) прямое напряжение Tvj = 25 °C; IF = 3000 A     1,40 В
VT(TO) Прямое падение напряжения в открытом состоянии (пороговое напряжение) Tvj = 160 °C     0,72 В
rT Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии, прямое дифференциальное сопротивление Tvj = 160 °C     0,19 мОм
IRD Постоянный ток в закрытом состоянии; Постоянный обратный ток Tvj = 160 °C;  VRD = VRRM     60 мА
Rth(j-c) Тепловое сопротивление переход-корпус sin. 180° для чипа   0,04   K/Вт
для модуля   0,04   K/Вт
Модуль
Rth(c-s) Тепловое сопротивление корпус-радиатор чип   0,01   K/Вт
модуль   0,01   K/Вт
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M6 5,1 .... 6,9 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M12 15,3 .... 20,7 Н · м
a Максимальное ускорение при вибрации       5 * 9,81 m/s2
m Масса модуля     2150   грамм