SKKH323/12E

SKKH323/12E
zoom Увеличить изображение
SKKH323/12E SKKH323/12E
Цена: 1.00 EUR
Напряжение (V): 1200
Ток (A): 323
Конфигурация модуля: Диодно-тиристорный

SKKH 323/12 E — тиристор-диодный электроизолированный модуль в корпусе SEMIPACK® 3

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение 1200 В
ITAV       (sin.180; Tc= 84°C) Среднее значение переменного тока в открытом состоянии 323 А
SEMIPACK® 3 Количество в упаковке 3 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

 

Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
Чип
ITAV Среднее значение переменного тока в открытом состоянии тиристора Sin. 180 ° Tc = 85 °C 320 А
Tc = 100 °C 241 А
ITSM Бросок тока в открытом состоянии (ударный ток) тиристора 10 мс Tvj = 25 °C 9500 А
Tvj = 130 °C 8500 А
i2t Значение i2t 8,3 ... 10 мс Tvj  = 25 °C 450000 А2с
Tvj = 130 °C 336000 А2с
VRSM Неповторяющееся максимальное обратное напряжение   1300 В
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение   1200 В
VDRM Повторяющееся максимальное напряжение в выключенном состоянии   1200 В
(di/dt)cr Критическое значение скорости нарастания тока Tvj = 130 °C макс. 130 А/мкс
(dv/dt)cr Критическое значение скорости нарастания напряжения Tvj = 130 °C макс. 1000 В/мкс
Tvj Эффекивная температура p-n перехода   - 40 ... + 130 °C
Модуль
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 мин 3000 В
1c 3600 В

 

Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
Чип
VT (Постоянное) напряжение во включенном состоянии (тиристор) Tvj = 25 °C; IT = 750 A     1,45 В
VT(TO) Прямое падение напряжения в открытом состоянии (пороговое напряжение) Tvj = 130 °C     0,81 В
rT Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии, прямое дифференциальное сопротивление (для тиристоров) Tvj = 130 °C     0,85 мОм
IDD; IRD Постоянный ток в закрытом состоянии; Постоянный обратный ток Tvj = 130 °C; VRD = VRRM; VDD = VDRM     100 мА
tgd Длительность задержки, вносимой затвором Tvj = 25 °C; IG = 1 A; diG/dt = 1 A/мкс   1   мкс
tgr Длительность спада, вносимого затвором VD = 0,67 * VDRM   2   мкс
tq Время выключения замкнутой цепи (тиристор) Tvj = 130 °C   150   мкс
IH Ток удержания Tvj = 25 °C   150 500 мА
IL Ток срабатывания (заперания) Tvj = 25 °C; RG = 33 Ом   300 2000 мА
VGT Отпирающее напряжение затвора Tvj = 25 °C; d.c. 2,0     В
IGT Ток отпирания затвора Tvj = 25 °C; d.c. 150     мА
VGD Неотпирающее напряжение затвора Tvj = 125 °C; d.c.     0,25 В
IGD Неотпирающий ток затвора Tvj = 125 °C; d.c.     10,0 мА
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус Cont. DC для чипа   0,091   K/Вт
для модуля   0,046   K/Вт
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус Sin. 180 ° для чипа   0,095   K/Вт
для модуля   0,048   K/Вт
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус Rec. 120 ° для чипа   0,11   K/Вт
для модуля   0,055   K/Вт
Модуль
Rth(c-s) тепловое сопротивление корпус-радиатор чип   0,08   K/Вт
модуль   0,04   K/Вт
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M5 5 ± 15 % Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M5 9 ± 15 % Н · м
a Максимальное ускорение при вибрации       5 * 9,81 m/s2
m масса модуля     410   грамм