SKKL92/18E

SKKL92/18E
zoom Увеличить изображение
SKKL92/18E SKKL92/18E
Цена: 1.00 EUR
Напряжение (V): 1800
Ток (A): ≤ 95
Конфигурация модуля: Диодно-тиристорный

SKKL 92/18 E — диодно-тиристорный электроизолированный модуль в корпусе SEMIPACK 1

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение 1800 В
ITAV                          (sin.180; Tc=85°C) Среднее значение переменного тока в открытом состоянии тиристора 95 А
SEMIPACK® 1 Количество в упаковке 12 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON:

http://www.semikron.com

 

Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
Чип
ITRMS Действующее значение тока в открытом состоянии тиристора   150 А
ITAV Среднее значение переменного тока в открытом состоянии тиристора Sin. 180 ° Tc = 85 °C 95 А
Tc = 100 °C 68 А
ITSM Бросок тока в открытом состоянии (ударный ток) тиристора 10 мс Tvj = 25 °C 2000 А
Tvj = 125 °C 1750 А
i2t Значение i2t 8.3 ... 10 мс Tvj = 25 °C 20000 А2с
Tvj = 125 °C 15000 А2с
VRSM Неповторяющееся максимальное обратное напряжение   1900 В
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение   1800 В
VDRM Повторяющееся максимальное напряжение в выключенном состоянии   1800 В
(di/dt)cr Критическое значение скорости нарастания тока Tvj = 125 °C max. 150 А/мкс
(dv/dt)cr Критическое значение скорости нарастания напряжения Tvj = 125 °C max. 1000 В/мкс
Tvj Эффективная температура p-n перехода   - 40 ... + 125 °C
Модуль
Tstg Температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL Напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 мин 3000 В
1c 3600 В
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
Чип
VT (Постоянное) напряжение во включенном состоянии (тиристор) Tvj = 25 °C; IT = 300 A     1,65 В
VT(TO) Прямое падение напряжения в открытом состоянии (пороговое напряжение) Tvj = 125 °C     0,90 В
rT Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии, прямое дифференциальное сопротивление (для тиристоров) Tvj = 125 °C     2,0 мОм
IDD; IRD Постоянный ток в закрытом состоянии; Постоянный обратный ток Tvj = 130 °C; VRD = VRRM; VDD = VDRM     20 мА
tgd Длительность задержки, вносимой затвором Tj = 25 °C; IG = 1 A; diG/dt = 1 A/мкс   1   мкс
tgr Длительность спада, вносимого затвором VD = 0,67 * VDRM   2   мкс
tq Время выключения замкнутой цепи (тиристор) Tvj = 125 °C   100   мкс
IH Ток удержания Tvj = 25 °C   150 250 мА
IL Ток срабатывания (заперания) Tvj = 25 °C; RG = 33 Ом   300 600 мА
VGT Отпирающее напряжение затвора Tvj = 25 °C; d.c. 3,0     В
IGT Ток отпирания затвора Tvj = 25 °C; d.c. 150     мА
VGD Неотпирающее напряжение затвора Tvj = 125 °C; d.c.     0,25 В
IGD Неотпирающий ток затвора Tvj = 125 °C; d.c.     6,00 мА
Rth(j-c) Тепловое сопротивление переход-корпус Cont. DC для чипа     0,28 K/Вт
для модуля     0,14 K/Вт
Rth(j-c) Тепловое сопротивление переход-корпус Sin. 180 ° для чипа     0,30 K/Вт
для модуля     0,15 K/Вт
Rth(j-c) Тепловое сопротивление переход-корпус Rec. 120 ° для чипа     0,32 K/Вт
для модуля     0,16 K/Вт
Модуль
Rth(c-s) Тепловое сопротивление корпус-радиатор чип   0,20   K/Вт
модуль   0,10   K/Вт
Ms Монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M5 5 ± 15 % Н · м
Mt Монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M5 5 ± 15 % Н · м
a Максимальное ускорение при вибрации   5 * 9,81 m/s2
m Масса модуля     95,00   грамм