SKND202E02

SKND202E02
zoom Увеличить изображение
SKND202E02 SKND202E02
Цена: 1.00 EUR
Напряжение (V): 200
Ток (A): ≤ 200
Конфигурация модуля: Диод-диодный

SKND 202E02 — диод-диодный электроизолированный модуль в корпусе SEMIPACK® 2

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение 200 В

IFAV

(sin.180;Tc=87°C)

 Средний прямой ток диода 202 А
SEMIPACK® 2 Количество в упаковке 8 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

 

Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
Чип
IFAV Средний прямой ток диода Sin. 180 ° Tc = 85 °C 208 А
Tc = 100 °C 156 А
IFSM Бросок прямого тока диода (ударный ток) 10 мс Tj = 25 °C 3200 А
Tj = 150 °C 2800 А
i2t Значение i2t 8,3 .... 10 мс Tj  = 25 °C 51000 А2с
Tj = 150 °C 39000 А2с
VRSM Неповторяющееся максимальное обратное напряжение   200 В
VRRM Повторяющееся максимальное обратное напряжение   200 В
Tj Температура перехода   -40 ... + 150 °C
Модуль
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 мин 2500 В
1c 3000 В

 

Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
Чип
VF (Постоянное) прямое напряжение Tj = 25 °C; IF = 500 A     1,65 В
VT(TO) Прямое падение напряжения в открытом состоянии (пороговое напряжение) Tj = 150 °C     0,8 В
rT Дифференциальное сопротивление во включенном состоянии, прямое дифференциальное сопротивление Tj = 120 °C     1,5 мОм
IRD Постоянный ток в закрытом состоянии; Постоянный обратный ток Tj = 150 °C;  VRRM     100 мА
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус   для чипа   0,2   K/Вт
для модуля   0,1   K/Вт
               
         
Модуль
Rth(c-s) тепловое сопротивление корпус-радиатор чип   0,1   K/Вт
модуль   0,05   K/Вт
Ms монтажный вращающий момент     5 +- 15%   Н · м
Mt монтажный вращающий момент     5 +- 15%   Н · м
a Максимальное ускорение при вибрации       5 * 9,81 m/s2
m масса модуля     250   грамм