SK50GH12T4T

SK50GH12T4T
zoom Увеличить изображение
SK50GH12T4T SK50GH12T4T SK50GH12T4T
Цена: 1.00 EUR
Напряжение (V): 1200
Ток (A): ≤ 50

SK50GH12T4T — однофазный IGBT мост с температурным датчиком (GH-T) в корпусе SEMITOP®4

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
Unom номинальное напряжение 1200 В
ICnom длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса 50 А
SEMITOP®4 количество в упаковке 6 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON:

http://www.semikron.com

 

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температура теплоотвода Ts = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером Tj = 25 °C 1200 В
IC ток коллектора Tj = 175 °C Ts = 25 °C 75 А
Ts = 70 °C 60 А
ICnom номинальный ток коллектора   50 А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора ICRM = 3 x ICnom ; tимп <= 1 мс 150 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
tpsc устойчивость к коротком замыканию Tj = 150 °C VCC = 800 В 10 мкс
VGE <= 15 В
VCES <= 1200 В
Tvj эффективная температура p-n перехода   - 40 ... + 175 °C
Обратный диод
IF прямой ток Tj = 175 °C Ts = 25 °C 56 A
Ts = 70 °C 45 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 3 x IFnom , tимп <= 1 мс 150 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс, синусоидальная форма, Tj = 150 °C 335 A
Tj температура перехода   - 40 ... + 175 °C
Модуль
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 минута 2500 В

 

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температура теплоотвода Ts = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
IGBT-транзистор
VCE(sat) напряжение насыщения коллектор-эмиттер ICnom = 50 А, VGE = 15 В, на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,8 2,0 B
Tj = 150 °C   2,2 2,4 B
VCE0 пороговое напряжение коллектор-эмиттер   Tj = 25 °C   0,80 0,90 B
Tj = 150 °C   0,70 0,80 B
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 В Tj = 25 °C   20   мОм
Tj = 150 °C   30   мОм
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE, IC = 1,7 мА 5,0 5,8 6,5 B
IGES ток утечки затвор-эмиттер, коллектор с эмиттером закорочен VCE = 0 В; VGE = 20 В; Tj = 125 °C     600 нА
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером

VGE = 0,

VCE = VCES

 Tj = 25 °C     0,01 мА
Tj = 125 °C   0.4   мА
Cies входная емкость

VGE = 0,

VCE = 25 В

 f = 1 МГц   5.54   нФ
Coes выходная емкость f = 1 МГц   0,41   нФ
Cres обратная переходная емкость f = 1 МГц   0,32   нФ
QG заряд затвора VGE = - 8 В….+ 15 В   375   нКл
RGint внутреннее сопротивление затвора Tj = 25 °C   4,0   Ом
td(on) длительность задержки включения

VCC = 600 В,

IC = 50 А,

RGon = 32 Ом,

di/dt = 920 А/мкс

RGoff = 32 Ом

 

 Tj = 150 °C   63   нс
tr время нарастания Tj = 150 °C   65   нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения Tj = 150 °C   8.3   мДж
td(off) длительность задержки выключения Tj = 150 °C   521   нс
tf время спада Tj = 150 °C   80   нс
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения Tj = 150 °C   5,0   мДж
Rth(j-s) тепловое сопротивление переход-теплоотвод для IGBT   0,65   K/Вт
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IFnom = 50 А,

VGE = 0 В,

на уровне кристалла

 Tj = 25 °C   2,2 2,5 B
Tj = 150 °C   2,1 2,45 B
VF0 пороговое напряжение   Tj = 25 °C   1,3 1,5 B
Tj = 150 °C   0,9 1,1 B
rF сопротивление в открытом состоянии   Tj = 25 °C   18   мОм
Tj = 150 °C   24   мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IF = 50 А,

di/dt = 920 A/мкс,

VCC = 600 В

 Tj = 150 °C   30   А
Qrr заряд восстановления Tj = 150 °C   7,2   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 150 °C   2,12   мДж
Rth(j-s)D тепловое сопротивление переход-теплоотвод для обратного диода   1,05   K/Вт
Температурный сенсор
R100   TS = 100°C (R25 = 5 кОм) 493 ± 5%
 		 Ом
Модуль
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода 2,5   2,75 Н · м
w масса       60 грамм