SK50MLI066

Цена: 1.00 EUR

Напряжение (V): 600

Ток (A): ≤ 50

SK50MLI066 — электроизолированный IGBT модль в корпусе SEMITOP^®3 для применения в трехуровневых инверторах. Наиболее часто подобная схема используется в источниках бесперебойного питания (UPS) мощностью 5–40 кВт.

Обозначение	Наименование	Значение	Единица измерения
U_nom	номинальное напряжение	600	В
I_Cnom	длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса	50	А
SEMITOP^®3	количество в упаковке	10	шт

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON:

http://www.semikron.com

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра теплоотвода T_s = 25 °C)
Обозначение	Наименование	Условия снятия характеристики		Значение	Единица измерения
IGBT-транзистор
V_CES	напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером	T_j = 25 °C		600	В
I_C	ток коллектора	T_j = 175 °C	T_s = 25 °C	60	А
			T_s = 70 °C	50	А
I_Cnom	номинальный ток коллектора			50	А
I_CRM	повторяющийся максимальный ток коллектора	I_CRM = 2 x I_Cnom		100	А
V_GES	напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером			± 20	В
t_psc	устойчивость к коротком замыканию	T_j= 150 °C	V_CC = 360 В	6	мкс
			V_GE <= 20 В
			V_CES <= 600 В
Обратный диод
I_F	прямой ток	T_j = 175 °C	T_s = 25 °C	56	A
			T_s = 70 °C	44	A
I_Fnom	номинальный нок			50	A
I_FRM	максимальный повторяющийся прямой ток	I_FRM = 2 x I_Fnom		100	A
I_FSM	прямой ток перегрузки	t_имп = 10 мс; синусоидальная форма; T_j = 150 °C		320	A
Свободный диод
I_F	прямой ток	T_j = 175 °C	T_s = 25 °C	56	A
			T_s = 70 °C	44	A
I_Fnom	номинальный прямой ток			30	A
I_FRM	максимальный повторяющийся прямой ток	I_FRM = 2 x I_Fnom		60	A
I_FSM	прямой ток перегрузки	t_имп = 10 мс; синусоидальная форма; T_j= 150 °C		320	A
Модуль
T_vj	эффективная температура p-n перехода			- 40 ... + 175	°C
T_stg	температура хранения			- 40 ... + 125	°C
V_ISOL	напряжение испытания изоляции	переменное напряжение 50Гц, 1 минута		2500	В

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается T_c = 25 °C)
Обозначение	Наименование	Условия снятия характеристики		Значение			Единица измерения
Обозначение	Наименование	Условия снятия характеристики		мин.	ном.	макс.	Единица измерения
IGBT-транзистор
V_CE(sat)	напряжение насыщения коллектор-эмиттер	I_Cnom = 50 А, V_GE = 15 В, на уровне кристалла	T_j = 25 °C		1,45		B
V_CE(sat)	напряжение насыщения коллектор-эмиттер	I_Cnom = 50 А, V_GE = 15 В, на уровне кристалла	T_j = 150 °C		1,65		B
V_CE0	пороговое напряжение коллектор-эмиттер		T_j = 25 °C		0,9	1,1	B
V_CE0	пороговое напряжение коллектор-эмиттер		T_j = 150 °C		0,8	1,0	B
r_CE	дифференциальное сопротивление открытого канала	V_GE = 15 В	T_j = 25 °C		11		мОм
r_CE	дифференциальное сопротивление открытого канала	V_GE = 15 В	T_j = 150 °C		17		мОм
V_GE(th)	пороговое напряжение затвор-эмиттер	V_GE = V_CE, I_C = 0.8 мА		5,0	5,8	6,5	B
I_GES	ток утечки затвор-эмиттер, коллектор с эмиттером закорочен	V_CE = 0 В, V_GE = 20 В, T_j = 25 °C				600	нА
I_CES	коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером	V_GE = 0, V_CE = V_CES	T_j = 25 °C			0,0026	мА
I_CES		V_GE = 0, V_CE = V_CES	T_j = 150 °C				мА
C_ies	входная емкость	V_GE = 0, V_CE = 25 В	f = 1 МГц		3,1		нФ
C_oes	выходная емкость		f = 1 МГц		0,2		нФ
C_res	обратная переходная емкость		f = 1 МГц		0,093		нФ
t_d(on)	длительность задержки включения	V_CC = 300 В, I_C = 50 А, V_GE = -7 / + 15 В, R_Gon = 16 Ом, R_Goff = 16 Ом,	T_j = 150 °C		30		нс
t_r	время нарастания		T_j = 150 °C		31		нс
E_on	рассеиваемая энергия в процессе включения		T_j = 150 °C		1,46		мДж
t_d(off)	длительность задержки выключения		T_j = 150 °C		351		нс
t_f	время спада		T_j = 150 °C		45		нс
E_off	рассеиваемая энергия в процессе выключения		T_j = 150 °C		2,02		мДж
R_th(j-s)	тепловое сопротивление переход-теплоотвод	для IGBT			1,11		K/Вт
Обратный диод
V_F = V_EC	постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе	I_Fnom = 50 А, V_GE = 0 В, на уровне кристалла	T_j = 25 °C		1,5		B
V_F = V_EC		I_Fnom = 50 А, V_GE = 0 В, на уровне кристалла	T_j = 150 °C		1,5		B
V_F0	пороговое напряжение		T_j = 25 °C		1,0		B
V_F0	пороговое напряжение		T_j = 150 °C		0,9		B
r_F	сопротивление в открытом состоянии		T_j = 25 °C		10		мОм
r_F	сопротивление в открытом состоянии		T_j = 150 °C		12		мОм
I_RRM	максимальный ток обратного восстановления	I_F = 50 А V_R = 300 В	T_j = 150 °C				А
Q_rr	заряд восстановления		T_j = 150 °C				мкКл
E_rr	рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение		T_j = 150 °C		1,07		мДж
R_th(j-c)D	тепловое сопротивление переход-корпус	для обратного диода			1,7		K/Вт
Свободный диод
V_F = V_EC	постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе	I_Fnom = 50 A, V_GE = 0 В, на уровне кристалла	T_j = 25 °C		1,5		B
V_F = V_EC		I_Fnom = 50 A, V_GE = 0 В, на уровне кристалла	T_j = 150 °C		1,5		B
V_F0	пороговое напряжение		T_j= 25 °C		1,0		B
V_F0	пороговое напряжение		T_j = 150 °C		0,9		B
r_F	сопротивление в открытом состоянии		T_j = 25 °C		10		мОм
r_F	сопротивление в открытом состоянии		T_j = 150 °C		12		мОм
I_RRM	максимальный ток обратного восстановления	I_F = 50 А, di/dt = - 2670 A/мкс, V_R = 300 В	T_j = 150 °C		40		А
Q_rr	заряд восстановления		T_j = 150 °C		2,2		мкКл
E_rr	рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение		T_j = 150 °C		1,07		мДж
R_th(j-c)D	тепловое сопротивление переход-корпус	для свободного диода			1,7		K/Вт
Модуль
M_s	монтажный вращающий момент	для крепления теплоотвода		2,25		2,5	Н · м
w	масса					30	грамм

652365346

Скачать

Каталог продукции

SK50MLI066