SKM195GB066D

SKM195GB066D
zoom Увеличить изображение
SKM195GB066D SKM195GB066D Размеры корпуса
Цена: 55.46 EUR
Напряжение (V): 600
Ток (A): ≤ 200
Конфигурация IGBT модуля: Полумост

SKM195GB066D — электроизолированный IGBT полумост (GB) в корпусе SEMITRANS® 2

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
Unom номинальное напряжение 600 В
ICnom длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса 200 А
SEMITRANS®2 количество в упаковке 8 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

Цены на сайте указаны для оптовых количеств.

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температура корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером Tj = 25 °C 600 В
IC ток коллектора Tj = 175 °C Tc = 25 °C 265 А
Tc = 80 °C 200 А
ICnom номинальный ток коллектора   200 А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора ICRM = 2 x ICnom 400 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
tpsc устойчивость к коротком замыканию VCC = 360 В;  VGE <= 15 В;  VCES <= 1200 В Tj = 150 °C 6 мкс
Tvj эффективная температура p-n перехода   - 40 ... + 175 °C
Обратный диод
IF прямой ток Tj = 175 °C Tc = 25 °C 200 A
Tc = 80 °C 130 A
IFnom номинальный ток   200 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 2 x IFnom 400 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 175 °C 1400 A
Tvj эффективная температура p-n перехода   - 40 ... + 175 °C
Модуль
It(RMS)   Tterminal = 80 °C 200 A
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 минута 4000 В

 

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
IGBT-транзистор
VCE(sat) напряжение насыщения коллектор-эмиттер IC = 150 А; VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,8 2,05 B
Tj = 150 °C   1,7 2,1 B
VCE0 пороговое напряжение коллектор-эмиттер   Tj = 25 °C   0,9 1,0 B
Tj = 150 °C   0,85 0,9 B
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 В Tj = 25 °C   2,8 4,5 мОм
Tj = 150 °C   4,3 6,0 мОм
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE; IC = 3,2 мА 5,0 5,8 6,5 B
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером

VGE = 0;

VCE = VCES

 Tj = 25 °C   0,13 0,38 мА
Tj = 150 °C       мА
Cies входная емкость

VCE = 25 В;      VGE = 0

 

 f = 1 МГц   12,3   нФ
Coes выходная емкость f = 1 МГц   0,77   нФ
Cres обратная переходная емкость f = 1 МГц   0,37   нФ
QG заряд затвора VGE = - 8 В….+ 15 В   1500   нКл
RGint внутреннее сопротивление затвора Tj =  °C   2,0   Ом
td(on) длительность задержки включения

VCC = 300 В;

IC = 200 А;

VGE = -8 ...+ 15 В;

RGon = 3 Ом;

RGoff = 3 Ом;

 

 Tj = 150 °C   160   нс
tr время нарастания Tj = 150 °C   68   нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения Tj = 150 °C   14   мДж
td(off) длительность задержки выключения Tj = 150 °C   520   нс
tf время спада Tj = 150 °C   49   нс
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения Tj = 150 °C   8   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT     0,22 K/Вт
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IFnom = 200 А;

VGE = 0 В;         на уровне чипа

 Tj = 25 °C   1,4 1,6 B
Tj = 150 °C       B
VF0 пороговое напряжение   Tj = 25 °C   0,95 1,0 B
Tj = 150 °C       B
rF сопротивление в открытом состоянии   Tj = 25 °C   2,3 3,0 мОм
Tj = 150 °C       мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IF = 200 А;

di/dt = 2000 A/мкс;

VGE = - 8 В;

VCC = 300 В

 Tj = 150 °C   100   А
Qrr заряд восстановления Tj = 150 °C   30   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 150 °C   5.6   мДж
Rth(j-c)D тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода     0,4 K/Вт
Модуль
LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера       30 нГн
RCC'+EE' суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера температура выводов полупроводника Tc = 25 °C   0,75   мОм
Tc = 125 °C   1   мОм
Rth(c-s) тепловое сопротивление корпус-теплоотвод для модуля     0,05 K/Вт
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M6 3   5 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M5 2,5   5 Н · м
w масса       150 грамм