SKM200GAR125D

SKM200GAR125D
zoom Увеличить изображение
SKM200GAR125D SKM200GAR125D
Цена: 76.46 EUR
Напряжение (V): 1200
Ток (A): ≤ 200
Конфигурация IGBT модуля: Верхний чоппер

SKM200GAR125D — верхний IGBT чоппер (GAL) в корпусе SEMITRANS® 3

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
Unom номинальное напряжение 1200 В
ICnom длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса 150 А
SEMITRANS®3 количество в упаковке 12 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

Цены на сайте указаны для оптовых количеств.

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером Tj = 25 °C 1200 В
IC ток коллектора Tj = 150 °C Tc = 25 °C 200 А
Tc = 80 °C 160 А
ICnom номинальный ток коллектора   150 А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора ICRM = 2 x ICnom 300 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
tpsc устойчивость к коротком замыканию VCC = 600 В;     VGE <= 20 В; VCES <= 1200 В Tj = 125 °C 10 мкс
         
Tvj эффективная температура p-n перехода   - 40 ... + 150 °C
Обратный диод
IF прямой ток Tj = 150 °C Tc = 25 °C 200 A
Tc = 80 °C 130 A
IFnom номинальный ток   150 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 2 x IFnom 300 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C 1440 A
Tvj эффективная температура p-n перехода   - 40 ... + 150 °C
Свободный диод
IF прямой ток Tj = 175 °C Tc = 25 °C 200 A
Tc = 80 °C 130 A
IFnom номинальный прямой ток   150 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 2 x IFnom 300 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj  = 150 °C 1440 A
Tvj эффективная температура p-n перехода   - 40 ... 150 °C
Модуль
It(RMS)   Tterminal = 80 °C 500 A
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 минута 4000 В

 

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
IGBT-транзистор
VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения IC = 150 А; VGE = 15 В; на уровне кристалла     3,3 3,85 B
        B
VCE0 пороговое напряжение коллектор-эмиттер на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,5 1,75 B
Tj = 125 °C       B
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   12 14 мОм
Tj = 125 °C       мОм
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер

VGE = VCE; IC = 6 мА

 4,5 5,5 6,5 B
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером

VGE = 0;

VCE = VCES

 Tj = 25 °C   0,15 0,45 мА
Tj = 150 °C       мА
Cies входная емкость

VGE = 0 В;

VCE = 25 В

 f = 1 МГц   10 13 нФ
Coes выходная емкость f = 1 МГц   1,5 2 нФ
Cres обратная переходная емкость f = 1 МГц   0,8 1,2 нФ
QG заряд затвора VGE = 0 В ... + 20 В   1300   нКл
RGint внутреннее сопротивление затвора Tj =  °C   2,5   Ом
td(on) длительность задержки включения

VCC = 600 В;

IC = 150 А;

VGE = ± 15 В;

RGon = 4 Ом;

RGoff = 4 Ом;

 

 Tj = 125 °C   75   нс
tr время нарастания Tj = 125 °C   36   нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения Tj = 125 °C   14   мДж
td(off) длительность задержки выключения Tj = 125 °C   420   нс
tf время спада Tj = 125 °C   25   нс
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения Tj = 125 °C       мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT     0,09 K/Вт
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IFnom = 150 А;

VGE = 0 В;        на уровне кристалла

 Tj = 25 °C   2,0 2,5 B
Tj = 125 °C   1,8   B
VF0 пороговое напряжение   Tj = 25 °C   1,1 1,2 B
Tj = 125 °C       B
rF сопротивление в открытом состоянии   Tj = 25 °C   6,0 8,7 мОм
Tj = 125 °C       мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IF = 150 А;

di/dt = 5500 A/мкс;

VGE = 0 В;

VCC = 600 В

 Tj = 125 °C   230   А
Qrr заряд восстановления Tj = 125 °C   33   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 125 °C       мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода     0,25 K/Вт
Свободный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IFnom = 150 A;

VGE = 0 В

 Tj = 25 °C   2,0 2,5 B
Tj = 125 °C   1,8   B
VF0 пороговое напряжение   Tj = 25 °C   1,1 1,2 B
Tj = 125 °C       B
rF сопротивление в открытом состоянии   Tj = 25 °C   6,0 8,7 мОм
Tj = 125 °C       мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IF = 150 А;

di/dtoff = 5500 A/мкс;

VGE = 0 В;

VCC = 600 В

 Tj = 125 °C   230   А
Qrr заряд восстановления Tj = 125 °C   33   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 125 °C       мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для свободного диода     0,25 K/Вт
Модуль
LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера     15 20 нГн
RCC'+EE' суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера температура выводов полупроводника Tc = 25 °C   0,35   мОм
Tc = 125 °C   0,5   мОм
Rth(c-s) тепловое сопротивление корпус-теплоотвод для модуля     0,038 K/Вт
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M6 3   5 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M6 2,5   5 Н · м
w масса       325 грамм