SKM200GAR173D

SKM200GAR173D
zoom Увеличить изображение
SKM200GAR173D SKM200GAR173D
Цена: 125.34 EUR
Напряжение (V): 1700
Ток (A): ≤ 200
Конфигурация IGBT модуля: Верхний чоппер

SKM200GAR173D — верхний IGBT чоппер (GAR) в корпусе SEMITRANS® 3

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
Unom номинальное напряжение 1700 В
ICnom длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса 150 А
SEMITRANS®3 количество в упаковке 12 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

Цены на сайте указаны для оптовых количеств.

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером Tj = 25 °C 1700 В
IC ток коллектора Tj = 150 °C Tc = 25 °C 220 А
Tc = 80 °C 150 А
ICnom номинальный ток коллектора   150 А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора ICRM = 2 x ICnom 300 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
tpsc устойчивость к коротком замыканию VCC = 1200 В;     VGE <= 20 В; VCES <= 1700 В Tj = 125 °C 10 мкс
         
Tvj эффективная температура p-n перехода   - 40 ... + 150 °C
Обратный диод
IF прямой ток Tj = 150 °C Tc = 25 °C 150 A
Tc = 80 °C 100 A
IFnom номинальный ток   150 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 2 x IFnom 300 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C 1450 A
Tvj эффективная температура p-n перехода   - 40 ... + 150 °C
Свободный диод
IF прямой ток Tj = 150 °C Tc = 25 °C 230 A
Tc = 80 °C 150 A
IFnom номинальный прямой ток   200 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 2 x IFnom 400 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj  = 150 °C 2200 A
Tvj эффективная температура p-n перехода   - 40 ... + 150 °C
Модуль
It(RMS)   Tterminal = 80 °C 500 A
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 минута 4000 В

 

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
IGBT-транзистор
VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения IC = 150 А; VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   3,4 3,9 B
Tj = 125 °C   4,5 5 B
VCE0 пороговое напряжение коллектор-эмиттер   Tj = 25 °C   1,65 1,9 B
Tj = 125 °C   1,9 2,15 B
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 В Tj = 25 °C   11,7 13,3 мОм
Tj = 125 °C   17,3 19 мОм
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE; IC = 6 мА 4,8 5,5 6,2 B
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером

VGE = 0;

VCE = VCES

 Tj = 25 °C   0,1 0,3 мА
Tj = 125 °C       мА
Cies входная емкость

VGE = 0;

VCE = 25 В

 f = 1 МГц   20   нФ
Coes выходная емкость f = 1 МГц   2   нФ
Cres обратная переходная емкость f = 1 МГц   0,55   нФ
QG заряд затвора VGE = 0 В ... + 15 В   2000   нКл
RGint внутреннее сопротивление затвора Tj = 25 °C       Ом
td(on) длительность задержки включения

VCC = 1200 В;

IC = 150 А;

VGE = ± 15 В;

RGon = 4 Ом;

RGoff = 4 Ом;

 

 Tj = 125 °C   580   нс
tr время нарастания Tj = 125 °C   100   нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения Tj = 125 °C   95   мДж
td(off) длительность задержки выключения Tj = 125 °C   750   нс
tf время спада Tj = 125 °C   40   нс
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения Tj = 125 °C   45   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT     0,10 K/Вт
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IFnom = 150 А;

VGE = 0 В;        на уровне кристалла

 Tj = 25 °C   2,2 2,7 B
Tj = 125 °C   1,9   B
VF0 пороговое напряжение   Tj = 25 °C       B
Tj = 125 °C   1,3 1,5 B
rF сопротивление в открытом состоянии   Tj = 25 °C       мОм
Tj = 125 °C   4,5 6,2 мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IF = 150 А;

di/dtoff = 1000 A/мкс;

VGE = - 15В;

VCC = 1200 В

 Tj = 125 °C   85   А
Qrr заряд восстановления Tj = 125 °C   38   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 125 °C       мДж
Rth(j-c)FD тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода     0,32 K/Вт
Свободный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IFnom = 150 A;

VGE = 0 В

 Tj = 25 °C   2,0 2,4 B
Tj = 125 °C   1,8   B
VF0 пороговое напряжение   Tj = 25 °C       B
Tj = 125 °C   1,3 1,5 B
rF сопротивление в открытом состоянии   Tj = 25 °C       мОм
Tj = 125 °C   3,5 4,5 мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IF = 150 А;

di/dtoff = A/мкс;

VGE = - 15В;

VCC = 1200 В

 Tj = 125 °C   110   А
Qrr заряд восстановления Tj = 125 °C   50   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 125 °C       мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для свободного диода     0,21 K/Вт
Модуль
LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера     15 20 нГн
RCC'+EE' суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера температура выводов полупроводника Tc = 25 °C   0,35   мОм
Tc = 125 °C   0,5   мОм
Rth(c-s) тепловое сопротивление корпус-теплоотвод для модуля     0,038 K/Вт
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M6 3   5 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M6 2,5   5 Н · м
w масса       325 грамм