SKM200GARL066T

SKM200GARL066T
zoom Увеличить изображение
SKM200GARL066T SKM200GARL066T SKM200GARL066T
Цена: 86.94 EUR
Напряжение (V): 600
Ток (A): ≤ 200
Конфигурация IGBT модуля: Полумост

SKM200GARL066T — верхний и нижний IGBT чопперы (конфигурация GARL) с температурным датчиком в электроизолированном в корпусе SEMITRANS® 5

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
Unom номинальное напряжение 600 В
ICnom длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса 200 А
SEMITRANS®5 количество в упаковке 12 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

Цены на сайте указаны для оптовых количеств.

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером Tj = 25 °C 600 В
IC ток коллектора Tj = 175 °C Tc = 25 °C 280 А
Tc = 80 °C 210 А
ICnom номинальный ток коллектора   200 А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора ICRM = 2 x ICnom 200 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
tpsc устойчивость к коротком замыканию VCC = 360 В;     VGE <= 15 В; VCES < 600 В Tj = 150 °C 6 мкс
         
Tvj эффективная температура p-n перехода   - 40 ... + 175 °C
Обратный диод
IF прямой ток Tj = 150 °C Tc = 25 °C 27 A
Tc = 80 °C 20 A
IFnom номинальный ток   20 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 2 x IFnom 40 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C 95 A
Tvj эффективная температура p-n перехода   - 40 ... + 175 °C
Свободный диод
IF прямой ток Tj = 175 °C Tc = 25 °C 270 A
Tc = 80 °C 200 A
IFnom номинальный прямой ток   200 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 2 x IFnom 400 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj  = 150 °C 1620 A
Tvj эффективная температура p-n перехода   - 40 ... + 175 °C
Модуль
It(RMS)   Tterminal = 80 °C 500 A
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 минута 2500 В

 

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
IGBT-транзистор
VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения ICnom = 200 А; VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,45 1,9 B
Tj = 150 °C   1,7 2,1 B
VCE0 пороговое напряжение коллектор-эмиттер на уровне кристалла Tj = 25 °C   0,9 1,0 B
Tj = 150 °C   0,7 0,8 B
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   2,7 4,5 мОм
Tj = 150 °C   5 6,5 мОм
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер

VGE = VCE; IC = 4,8 мА

 5,0 5,8 6,5 B
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером

VGE = 0;

VCE = 20 В

 Tj = 25 °C     0,5 мА
Tj = 150 °C       мА
Cies входная емкость

VGE = 0;

VCE = 25 В

 f = 1 МГц   12,3   нФ
Coes выходная емкость f = 1 МГц   0,76   нФ
Cres обратная переходная емкость f = 1 МГц   0,36   нФ
QG заряд затвора VGE = -8 B ... + 15 B   2254   нКл
RGint внутреннее сопротивление затвора Tj =  °C   1   Ом
td(on) длительность задержки включения

VCC = 300 В;

IC = 200 А;

VGE = - 8B/+ 15 В;

RGon = 1 Ом;

RGoff = 1 Ом;

 Tj = 150 °C   93   нс
tr время нарастания Tj = 150 °C   113   нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения Tj = 150 °C   2,24   мДж
td(off) длительность задержки выключения Tj = 150 °C   317   нс
tf время спада Tj = 150 °C   102   нс
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения Tj = 150 °C   7,89   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT   0,21   K/Вт
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IFnom = 20 А;

VGE = 0 В;        на уровне кристалла

 Tj = 25 °C   1,45 1,7 B
Tj = 125 °C   1,45 1,7 B
VF0 пороговое напряжение на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,0 1,1 B
Tj = 125 °C   0,9 1,0 B
rF сопротивление в открытом состоянии на уровне кристалла Tj = 25 °C   22,5 30 мОм
Tj = 125 °C   27,5 35 мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IF = 20 А;

 

VGE = - 8В;

VCC = 300 В

 Tj = 125 °C       А
Qrr заряд восстановления Tj = 125°C       мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 150 °C       мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода   3   K/Вт
Свободный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IF = 200 A;

VGE = 0 В

 Tj = 25 °C   1,4 1,6 B
Tj = 150 °C   1,3 1,45 B
VF0 пороговое напряжение   Tj = 25 °C   0,95 1,0 B
Tj = 150 °C   0,85 0,9 B
rF сопротивление в открытом состоянии   Tj = 25 °C   2,2 3,0 мОм
Tj = 150 °C   2,1 2,7 мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IF = 200 А;

di/dt = 2000 A/мкс

VGE = +-15 В;

VCC = 300 В

 Tj = 150°C   175,8   А
Qrr заряд восстановления Tj = 150 °C   12   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 150 °C   4   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для свободного диода   0,39   K/Вт
Модуль
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M6 3   5 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M6 2,5   5 Н · м
w масса       310 грамм