| Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C) |
| Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
Значение |
Единица измерения |
| мин. |
ном. |
макс. |
| IGBT-транзистор |
| VCE(sat) |
напряжение коллектор-эмиттер насыщения |
IC = 150 А; VGE = 15 В; на уровне кристалла |
Tj = 25 °C |
|
1,9 |
2,35 |
B |
| Tj = 125 °C |
|
2,1 |
2,55 |
B |
| VCE0 |
пороговое напряжение коллектор-эмиттер |
на уровне кристалла |
Tj = 25 °C |
|
1,0 |
1,15 |
B |
| Tj = 125 °C |
|
0,9 |
1,05 |
B |
| rCE |
дифференциальное сопротивление открытого канала |
VGE = 15 В; на уровне кристалла |
Tj = 25 °C |
|
6 |
8 |
мОм |
| Tj = 125 °C |
|
8 |
10 |
мОм |
| VGE(th) |
пороговое напряжение затвор-эмиттер |
VGE = VCE; IC = 6 мА
|
4,5 |
5,5 |
6,45 |
B |
| ICES |
коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером |
VGE = 0;
VCE = VCES
|
Tj = 25 °C |
|
0,2 |
0,6 |
мА |
| Tj = 125 °C |
|
|
|
мА |
| Cies |
входная емкость |
VGE = 0 В;
VCE = 25 В
|
f = 1 МГц |
|
13 |
|
нФ |
| Coes |
выходная емкость |
f = 1 МГц |
|
2 |
|
нФ |
| Cres |
обратная переходная емкость |
f = 1 МГц |
|
2 |
|
нФ |
| td(on) |
длительность задержки включения |
VCC = 600 В;
ICnom = 150 А;
VGE = ± 15 В;
RGon = 7 Ом;
RGoff = 7 Ом;
|
Tj = 125 °C |
|
125 |
|
нс |
| tr |
время нарастания |
Tj = 125 °C |
|
50 |
|
нс |
| Eon |
рассеиваемая энергия в процессе включения |
Tj = 125 °C |
|
18 |
|
мДж |
| td(off) |
длительность задержки выключения |
Tj = 125 °C |
|
620 |
|
нс |
| tf |
время спада |
Tj = 125 °C |
|
55 |
|
нс |
| Eoff |
рассеиваемая энергия в процессе выключения |
Tj = 125 °C |
|
15 |
|
мДж |
| Rth(j-c) |
тепловое сопротивление переход-корпус |
для IGBT |
|
|
0,095 |
K/Вт |
| Обратный диод |
| VF = VEC |
постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе |
IFnom = 150 А;
VGE = 0 В; на уровне кристалла
|
Tj = 25 °C |
|
2,0 |
2,5 |
B |
| Tj = 125 °C |
|
1,8 |
|
B |
| VF0 |
пороговое напряжение |
|
Tj = 25 °C |
|
1,1 |
1,2 |
B |
| Tj = 125 °C |
|
|
|
B |
| rF |
сопротивление в открытом состоянии |
|
Tj = 25 °C |
|
6,0 |
8,7 |
мОм |
| Tj = 125 °C |
|
|
|
мОм |
| IRRM |
максимальный ток обратного восстановления |
IFnom = 150 А;
di/dt = 4800 A/мкс;
VGE = 0 В;
|
Tj = 125 °C |
|
190 |
|
А |
| Qrr |
заряд восстановления |
Tj = 125 °C |
|
24 |
|
мкКл |
| Err |
рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение |
Tj = 125 °C |
|
8 |
|
мДж |
| Rth(j-c) |
тепловое сопротивление переход-корпус |
для обратного диода |
|
|
0,25 |
K/Вт |
| Модуль |
| LCE |
паразитная индуктивность коллектора-эмиттера |
|
|
|
20 |
нГн |
| RCC'+EE' |
суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера |
температура выводов полупроводника |
Tc = 25 °C |
|
0,35 |
|
мОм |
| Tc = 125 °C |
|
0,5 |
|
мОм |
| Rth(c-s) |
тепловое сопротивление корпус-теплоотвод |
для модуля |
|
|
0,038 |
K/Вт |
| Ms |
монтажный вращающий момент |
для крепления теплоотвода с резьбой M6 |
3 |
|
5 |
Н · м |
| Mt |
монтажный вращающий момент |
для выводов с резьбой M5 |
2,5 |
|
5 |
Н · м |
| w |
масса |
|
|
|
325 |
грамм |
