SKM25GAH125D — верхний и нижний IGBT чопперы (конфигурация GAH) в электроизолированном корпусе SEMITRANS® 6
| Обозначение |
Наименование |
Значение |
Единица измерения |
| Unom |
номинальное напряжение |
1200 |
В |
| ICnom |
длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса |
25 |
А |
| SEMITRANS®6 |
количество в упаковке |
10 |
шт |
Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com
Цены на сайте указаны для оптовых количеств.
| Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C) |
| Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
Значение |
Единица измерения |
| IGBT-транзистор |
| VCES |
напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером |
Tj = 25 °C |
1200 |
В |
| IC |
ток коллектора |
Tj = 150 °C |
Tc = 25 °C |
39 |
А |
| Tc = 80 °C |
27 |
А |
| ICnom |
номинальный ток коллектора |
|
25 |
А |
| ICRM |
повторяющийся максимальный ток коллектора |
ICRM = 2 x ICnom |
50 |
А |
| VGES |
напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером |
|
± 20 |
В |
| tpsc |
устойчивость к коротком замыканию |
VCC = 600 В; VGE <= 20 В; VCES <= 1200 В |
Tj = 125 °C |
10 |
мкс |
| |
|
|
|
|
| Tvj |
эффективная температура p-n перехода |
|
- 55 ... + 150 |
°C |
| Обратный диод |
| IF |
прямой ток |
Tj = 150 °C |
Tc = 25 °C |
47 |
A |
| Tc = 80 °C |
32 |
A |
| IFnom |
номинальный ток |
|
40 |
A |
| IFRM |
максимальный повторяющийся прямой ток |
IFRM = 2 x IFnom |
80 |
A |
| IFSM |
прямой ток перегрузки |
tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 25 °C |
410 |
A |
| Tvj |
эффективная температура p-n перехода |
|
- 40 ... + 150 |
°C |
| Модуль |
| It(RMS) |
|
Tterminal = 80 °C |
100 |
A |
| Tstg |
температура хранения |
|
- 40 ... + 125 |
°C |
| VISOL |
напряжение испытания изоляции |
переменное напряжение 50Гц, 1 минута |
4000 |
В |
| Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C) |
| Обозначение |
Наименование |
Условия снятия характеристики |
Значение |
Единица измерения |
| мин. |
ном. |
макс. |
| IGBT-транзистор |
| VCE(sat) |
напряжение коллектор-эмиттер насыщения |
IC = 25 А; VGE = 15 В; на уровне кристалла |
Tj = 25 °C |
|
3,2 |
3,7 |
B |
| Tj = 125 °C |
|
3,6 |
4,2 |
B |
| VCE0 |
пороговое напряжение коллектор-эмиттер |
|
Tj = 25 °C |
|
1,5 |
1,75 |
B |
| Tj = 125 °C |
|
1,7 |
1,95 |
B |
| rCE |
дифференциальное сопротивление открытого канала |
VGE = 15 В |
Tj = 25 °C |
|
68 |
78 |
мОм |
| Tj = 125 °C |
|
76 |
90 |
мОм |
| VGE(th) |
пороговое напряжение затвор-эмиттер |
VGE = VCE; IC = 1 мА |
4,5 |
5,5 |
6,5 |
B |
| ICES |
коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером |
VGE = 0;
VCE = VCES
|
Tj = 25 °C |
|
0,1 |
0,3 |
мА |
| Tj = 125 °C |
|
|
|
мА |
| Cies |
входная емкость |
VGE = 0;
VCE = 25 В
|
f = 1 МГц |
|
1,65 |
|
нФ |
| Coes |
выходная емкость |
f = 1 МГц |
|
0,25 |
|
нФ |
| Cres |
обратная переходная емкость |
f = 1 МГц |
|
0,11 |
|
нФ |
| QG |
заряд затвора |
VGE = - 8 В ... + 20 В |
|
221 |
|
нКл |
| RGint |
внутреннее сопротивление затвора |
Tj = 25 °C |
|
|
|
Ом |
| td(on) |
длительность задержки включения |
VCC = 600 В;
IC = 25 А;
VGE = ± 15 В;
RGon = 16 Ом;
RGoff = 16 Ом;
|
Tj = 125 °C |
|
25 |
|
нс |
| tr |
время нарастания |
Tj = 125 °C |
|
19 |
|
нс |
| Eon |
рассеиваемая энергия в процессе включения |
Tj = 125 °C |
|
3,9 |
|
мДж |
| td(off) |
длительность задержки выключения |
Tj = 125 °C |
|
184 |
|
нс |
| tf |
время спада |
Tj = 125 °C |
|
8 |
|
нс |
| Eoff |
рассеиваемая энергия в процессе выключения |
Tj = 125 °C |
|
1,6 |
|
мДж |
| Rth(j-c) |
тепловое сопротивление переход-корпус |
для IGBT |
|
|
0,56 |
K/Вт |
| Обратный диод |
| VF = VEC |
постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе |
IFnom = 25 А;
VGE = 0 В; на уровне кристалла
|
Tj = 25 °C |
|
2,13 |
2,65 |
B |
| Tj = 125 °C |
|
1,94 |
2,46 |
B |
| VF0 |
пороговое напряжение |
|
Tj = 25 °C |
|
1,1 |
1,45 |
B |
| Tj = 125 °C |
|
0,85 |
1,2 |
B |
| rF |
сопротивление в открытом состоянии |
|
Tj = 25 °C |
|
25,7 |
30 |
мОм |
| Tj = 125 °C |
|
27,1 |
31,4 |
мОм |
| IRRM |
максимальный ток обратного восстановления |
IF = 25А;
di/dtoff = 2500 A/мкс;
VGE = +-15 В;
VCC = 600 В
|
Tj = 125 °C |
|
50 |
|
А |
| Qrr |
заряд восстановления |
Tj = 125 °C |
|
4 |
|
мкКл |
| Err |
рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение |
Tj = 125 °C |
|
1,1 |
|
мДж |
| Rth(j-c)FD |
тепловое сопротивление переход-корпус |
для обратного диода |
|
|
1,0 |
K/Вт |
| Модуль |
| LCE |
паразитная индуктивность коллектора-эмиттера |
|
|
|
60 |
нГн |
| Rth(c-s) |
тепловое сопротивление корпус-теплоотвод |
для модуля |
|
|
0,05 |
K/Вт |
| Ms |
монтажный вращающий момент |
для крепления теплоотвода с резьбой M5 |
4 |
|
5 |
Н · м |
| w |
масса |
|
|
|
175 |
грамм |
