SKM300GAR123D

SKM300GAR123D
zoom Увеличить изображение
SKM300GAR123D SKM300GAR123D
Цена: 99.33 EUR
Напряжение (V): 1200
Ток (A): ≤ 300
Конфигурация IGBT модуля: Верхний чоппер

SKM300GAR123D — верхний IGBT чоппер (GAR) в корпусе SEMITRANS® 3

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
Unom номинальное напряжение 1200 В
ICnom длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса 200 А
SEMITRANS®3 количество в упаковке 12 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

Цены на сайте указаны для оптовых количеств.

 

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером Tj = 25 °C 1200 В
IC ток коллектора   Tc = 25 °C 300 А
Tc = 80 °C 220 А
ICnom номинальный ток коллектора   200 А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора ICRM = 2 x ICnom 400 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
tpsc устойчивость к коротком замыканию       мкс
         
Tvj эффективная температура p-n перехода   - 40 ... + 150 °C
Обратный диод
IF прямой ток Tj = 150 °C Tc = 25 °C 260 A
Tc = 80 °C 180 A
IFnom номинальный ток   200 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 2 x IFnom 400 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C 2200 A
Tvj эффективная температура p-n перехода   - 40 ... + 150 °C
Свободный диод
IF прямой ток Tj = 150 °C Tc = 25 °C 350 A
Tc = 80 °C 230 A
IFnom номинальный прямой ток   300 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 2 x IFnom 600 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj  = 150 °C 2900 A
Tvj эффективная температура p-n перехода   - 40 ... + 150 °C
Модуль
It(RMS)   Tterminal = 80 °C 500 A
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 минута 2500 В

 

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
IGBT-транзистор
VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения ICnom = 200 А; VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   2,5 3,0 B
Tj = 125 °C   3,1 3,7 B
VCE0 пороговое напряжение коллектор-эмиттер на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,4 1,6 B
Tj = 125 °C   1,6 1,8 B
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   7,5 7,0 мОм
Tj = 125 °C   7,5 9,5 мОм
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер

VGE = VCE; IC = 8 мА

 4,5 5,5 6,5 B
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером

VGE = 0;

VCE = VCES

 Tj = 25 °C   0,1 0,3 мА
Tj = 125 °C       мА
Cies входная емкость

VGE = 0;

VCE = 25 B

f = 1 МГц   18 24 нФ
Coes выходная емкость f = 1 МГц   2,5 3,2 нФ
Cres обратная переходная емкость f = 1 МГц   1 1,3 нФ
td(on) длительность задержки включения

VCC = 600 В;

IC = 200 А;

VGE = ± 15 В;

RGon = 4,7 Ом;

RGoff = 4,7 Ом;

 Tj = 125°C   250 400 нс
tr время нарастания Tj = 125 °C   90 160 нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения Tj = 125 °C   28   мДж
td(off) длительность задержки выключения Tj = 125 °C   550 700 нс
tf время спада Tj = 125 °C   70 100 нс
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения Tj = 125 °C   26   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT     0,075 K/Вт
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IFnom = 200 А;

VGE = 0 В;        на уровне кристалла

 Tj = 25 °C   2,0 2,5 B
Tj = 125 °C   1,8   B
VF0 пороговое напряжение на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,1 1,2 B
Tj = 125 °C       B
rF сопротивление в открытом состоянии на уровне кристалла Tj = 25 °C   4,5 6,5 мОм
Tj = 125 °C       мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IFnom = 200 А;

di/dt = 4000 A/мкс;

VGE = 0 В;

 

 Tj = 125 °C   190   А
Qrr заряд восстановления Tj = 125 °C   35   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 125 °C   8,5   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода     0,18 K/Вт
Свободный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IF = 300 A;

VGE = 0 В

 Tj = 25 °C   2,0 2,5 B
Tj = 125 °C   1,8   B
VF0 пороговое напряжение   Tj = 25 °C   1,1 1,2 B
Tj = 125 °C       B
rF сопротивление в открытом состоянии   Tj = 25 °C   3,0 4,3 мОм
Tj = 125 °C       мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IF = 200 А;

di/dtoff = 3500 A/мкс;

VGE = 0 В;

VCC = 600 В

 Tj = 125 °C   220   А
Qrr заряд восстановления Tj = 125 °C   53   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 125 °C       мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для свободного диода     0,15 K/Вт
Модуль
LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера       20 нГн
RCC'+EE' суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера температура выводов полупроводника Tc = 25 °C   0,35   мОм
Tc = 125 °C   0,5   мОм
Rth(c-s) тепловое сопротивление корпус-теплоотвод для модуля     0,038 K/Вт
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M6 3   5 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M6 2,5   5 Н · м
w масса       325 грамм