SKM300GARL066T

SKM300GARL066T
zoom Увеличить изображение
SKM300GARL066T SKM300GARL066T SKM300GARL066T
Цена: 102.74 EUR
Напряжение (V): 600
Ток (A): ≤ 300

SKM300GARL066T — электроизолированный IGBT модуль (конфигурация GARL) в корпусе SEMITRANS® 5

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
Unom номинальное напряжение 600 В
ICnom длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса 300 А
SEMITRANS®5 количество в упаковке 12 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON:  http://www.semikron.com

Цены на сайте указаны для оптовых количеств.

 

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером Tj = 25 °C 600 В
IC ток коллектора Tj = 175 °C Tc = 25 °C 400 А
Tc = 80 °C 300 А
ICnom номинальный ток коллектора   300 А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора ICRM = 2 x ICnom 600 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
tpsc устойчивость к коротком замыканию VCC = 360 В;     VGE <= 15 В; VCES < 600 В Tj = 150 °C 6 мкс
         
Tvj эффективная температура p-n перехода   - 40 ... + 175 °C
Обратный диод
IF прямой ток Tj = 150 °C Tc = 25 °C 40 A
Tc = 80 °C 30 A
IFnom номинальный ток   30 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 2 x IFnom 60 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C 160 A
Tvj эффективная температура p-n перехода   - 40 ... + 175 °C
Свободный диод
IF прямой ток Tj = 175 °C Tc = 25 °C 400 A
Tc = 80 °C 290 A
IFnom номинальный прямой ток   300 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 2 x IFnom 600 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj  = 150 °C 2100 A
Tvj эффективная температура p-n перехода   - 40 ... + 175 °C
Модуль
It(RMS)   Tterminal = 80 °C 500 A
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 минута 2500 В

 

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
IGBT-транзистор
VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения IC = 300 А; VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,45 1,9 B
Tj = 150 °C   1,7 2,1 B
VCE0 пороговое напряжение коллектор-эмиттер на уровне кристалла Tj = 25 °C   0,9 1,0 B
Tj = 150 °C   0,85 0,9 B
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,8 3,0 мОм
Tj = 150 °C   2,7 3,8 мОм
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер

VGE = VCE; IC = 4,8 мА

 5,0 5,8 6,5 B
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером

VGE = 0;

VCE = 20 В

 Tj = 25 °C     0,015 мА
Tj = 150 °C       мА
Cies входная емкость

VGE = 0;

VCE = 25 В

 f = 1 МГц   18,4   нФ
Coes выходная емкость f = 1 МГц   1,14   нФ
Cres обратная переходная емкость f = 1 МГц   0,54   нФ
QG заряд затвора VGE =       нКл
RGint внутреннее сопротивление затвора Tj =  °C   1   Ом
td(on) длительность задержки включения

VCC = 300 В;

IC = 300 А;

VGE = - 8B/+ 15 В;

RGon = 1 Ом;

RGoff = 2 Ом;

 Tj = 150 °C       нс
tr время нарастания Tj = 150 °C       нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения Tj = 150 °C   1,56   мДж
td(off) длительность задержки выключения Tj = 150 °C       нс
tf время спада Tj = 150 °C       нс
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения Tj = 150 °C   9,4   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT   0,15   K/Вт
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IF = 30 А;

VGE = 0 В;        на уровне кристалла

 Tj = 25 °C   1,45 1,7 B
Tj = 125 °C   1,45 1,7 B
VF0 пороговое напряжение на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,0 1,1 B
Tj = 125 °C   0,9 1,0 B
rF сопротивление в открытом состоянии на уровне кристалла Tj = 25 °C   15 20 мОм
Tj = 125 °C   18 23,3 мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IF = 30 А;

 

VGE = - 8В;

VCC = 300 В

 Tj = 125 °C       А
Qrr заряд восстановления Tj = 125°C       мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 150 °C       мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода   2   K/Вт
Свободный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IF = 300 A;

VGE = 0 В

 Tj = 25 °C   1,35 1,6 B
Tj = 125 °C   1,3 1,5 B
VF0 пороговое напряжение   Tj = 25 °C   0,9 1,0 B
Tj = 125 °C   0,85 0,9 B
rF сопротивление в открытом состоянии   Tj = 25 °C   1,5 2,0 мОм
Tj = 125 °C   1,5 2,0 мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IF = 300 А;

 

VGE = 0 В;

VCC = 600 В

 Tj = 125 °C       А
Qrr заряд восстановления Tj = 125 °C       мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 125 °C   5   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для свободного диода   0,26   K/Вт
Модуль
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M6 3   5 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M6 2,5   5 Н · м
w масса       310 грамм