SKM300GB12V

SKM300GB12V
zoom Увеличить изображение
SKM300GB12V SKM300GB12V SKM300GB12V
Цена: 112.94 EUR
Напряжение (V): 1200
Ток (A): ≤ 300
Конфигурация IGBT модуля: Полумост

SKM300GB12V — электроизолированный IGBT полумост (GB) в корпусе SEMITRANS® 3

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
Unom номинальное напряжение 1200 В
ICnom длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса 300 А
SEMITRANS®3 количество в упаковке 12 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON:  http://www.semikron.com

Цены на сайте указаны для оптовых количеств.

 

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером Tj = 25 °C 1200 В
IC ток коллектора Tj = 175 °C Tc = 25 °C 420 А
Tc = 80 °C 319 А
ICnom номинальный ток коллектора   300 А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора ICRM = 3 x ICnom 900 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
tpsc устойчивость к коротком замыканию VCC = 720 В;     VGE <= 15 В; VCES <= 1200 В Tj = 150 °C 10 мкс
         
Tj температура перехода   - 40 ... + 175 °C
Обратный диод
IF прямой ток Tj = 175 °C Tc = 25 °C 353 A
Tc = 80 °C 264 A
IFnom номинальный ток   300 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 3 x IFnom 900 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 25 °C 1548 A
Tj температура перехода   - 40 ... + 175 °C
Модуль
It(RMS)   Tterminal = 80 °C 500 A
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 минута 4000 В

 

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
IGBT-транзистор
VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения IC = 300 А; VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,85 2,3 B
Tj = 150 °C   2,25 2,55 B
VCE0 пороговое напряжение коллектор-эмиттер на уровне кристалла Tj = 25 °C   0,94 1,04 B
Tj = 150 °C   0,88 0,98 B
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   3,03 4,2 мОм
Tj = 150 °C   4,57 5,23 мОм
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер

VGE = VCE; IC = 7,6 мА

 5,5 6,0 6,5 B
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером

VGE = 0;

VCE = 1200 В

 Tj = 25 °C   0,1 0,3 мА
Tj = 150 °C       мА
Cies входная емкость

VGE = 0;

VCE = 25 В

 f = 1 МГц   18,0   нФ
Coes выходная емкость f = 1 МГц   1,77   нФ
Cres обратная переходная емкость f = 1 МГц   1,768   нФ
QG заряд затвора VGE = - 8 В ... + 15 В   3310   нКл
RGint внутреннее сопротивление затвора Tj = 25 °C   2,5   Ом
td(on) длительность задержки включения

VCC = 600 В;

IC = 300 А;

VGE = ± 15 В;

RGon = 2,5 Ом;

RGoff = 2,5 Ом;

di/dton = 7700 А/мкс;

di/dtoff = 3500 А/мкс

 Tj = 150 °C   340   нс
tr время нарастания Tj = 150 °C   48   нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения Tj = 150 °C   23,0   мДж
td(off) длительность задержки выключения Tj = 150 °C   576   нс
tf время спада Tj = 150 °C   69   нс
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения Tj = 150 °C   33   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT     0,11 K/Вт
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IF = 300 А;

VGE = 0 В;        на уровне кристалла

 Tj = 25 °C   2,17 2,49 B
Tj = 150 °C   2,11 2,42 B
VF0 пороговое напряжение на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,3 1,5 B
Tj = 150 °C   0,9 1,1 B
rF сопротивление в открытом состоянии на уровне кристалла Tj = 25 °C   2,9 3,3 мОм
Tj = 150 °C   4,0 4,4 мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IF = 300 А;

di/dtoff = 7300 A/мкс;

VGE = ± 15В;

VCC = 600 В

 Tj = 150 °C   350   А
Qrr заряд восстановления Tj = 150 °C   45   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 150 °C   21   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода     0,17 K/Вт
Модуль
LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера     15 20 нГн
RCC'+EE' суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера температура выводов полупроводника Tc = 25 °C   0,18   мОм
Tc = 125 °C   0,22   мОм
Rth(c-s) тепловое сопротивление корпус-теплоотвод для модуля   0,02 0,038 K/Вт
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M6 3   5 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M6 2,5   5 Н · м
w масса       325 грамм