SKM400GB066D

SKM400GB066D
zoom Увеличить изображение
SKM400GB066D SKM400GB066D
Цена: 96.26 EUR
Напряжение (V): 600
Ток (A): ≤ 400
Конфигурация IGBT модуля: Полумост

SKM400GB066D — электроизолированный IGBT полумост (GB) в корпусе SEMITRANS® 3

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
Unom номинальное напряжение 600 В
ICnom длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса 400 А
SEMITRANS®3 количество в упаковке 12 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

Цены на сайте указаны для оптовых количеств.

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером Tj = 25 °C 600 В
IC ток коллектора Tj = 175 °C Tc = 25 °C 500 А
Tc = 80 °C 380 А
ICnom номинальный ток коллектора   400 А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора ICRM = 2 x ICnom 800 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
tpsc устойчивость к коротком замыканию VCC = 360 В;     VGE <= 15 В; VCES <= 600 В Tj = 150 °C 6 мкс
         
Tj температура перехода   - 40 ... + 175 °C
Обратный диод
IF прямой ток Tj = 175 °C Tc = 25 °C 450 A
Tc = 80 °C 320 A
IFnom номинальный ток   400 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 2 x IFnom 800 A
Tj температура перехода   - 40 ... + 175 °C
Модуль
It(RMS)   Tterminal = 80 °C 500 A
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 минута 4000 В

 

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
IGBT-транзистор
VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения IC = 400 А; VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,45 1,9 B
Tj = 150 °C   1,7 2,1 B
VCE0 пороговое напряжение коллектор-эмиттер на уровне кристалла Tj = 25 °C   0,9 1,0 B
Tj = 150 °C   0,85 0,9 B
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,4 2,3 мОм
Tj = 150 °C   2,1 3,0 мОм
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер

VGE = VCE; IC = 7,6 мА

 5,0 5,8 6,5 B
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером

VGE = 0;

VCE = 1200 В

 Tj = 25 °C   0,25 0,75 мА
Tj = 150 °C       мА
Cies входная емкость

VGE = 0;

VCE = 25 В

 f = 1 МГц   24,7   нФ
Coes выходная емкость f = 1 МГц   1,54   нФ
Cres обратная переходная емкость f = 1 МГц   0,73   нФ
QG заряд затвора VGE = - 8 В ... + 15 В   3000   нКл
RGint внутреннее сопротивление затвора Tj = 25 °C   2,0   Ом
td(on) длительность задержки включения

VCC = 300 В;

IC = 400 А;

VGE = -8 ... +15 В;

RGon = 1,5 Ом;

RGoff = 1,5 Ом;

di/dton =  А/мкс;

di/dtoff =  А/мкс

 Tj = 150 °C   200   нс
tr время нарастания Tj = 150 °C   60   нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения Tj = 150 °C   8   мДж
td(off) длительность задержки выключения Tj = 150 °C   560   нс
tf время спада Tj = 150 °C   53   нс
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения Tj = 150 °C   16   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT     0,12 K/Вт
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IF = 400 А;

VGE = 0 В;        на уровне кристалла

 Tj = 25 °C   1,4 1,6 B
Tj = 150 °C       B
VF0 пороговое напряжение на уровне кристалла Tj = 25 °C   0,95 1,0 B
Tj = 150 °C       B
rF сопротивление в открытом состоянии на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,1 1,5 мОм
Tj = 150 °C       мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IF = 400 А;

di/dtoff = 7250 A/мкс;

VGE = - 8 В;

VCC = 300 В

 Tj = 150 °C   410   А
Qrr заряд восстановления Tj = 150 °C   62   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 150 °C   14   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода     0,2 K/Вт
Модуль
LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера     15 20 нГн
RCC'+EE' суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера температура выводов полупроводника Tc = 25 °C   0,35   мОм
Tc = 125 °C   0,5   мОм
Rth(c-s) тепловое сопротивление корпус-теплоотвод для модуля   0,02 0,038 K/Вт
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M6 3   5 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M6 2,5   5 Н · м
w масса       325 грамм