SKM400GB176D

SKM400GB176D
zoom Увеличить изображение
SKM400GB176D SKM400GB176D SKM400GB176D
Цена: 157.19 EUR
Напряжение (V): 1700
Ток (A): ≤ 400
Конфигурация IGBT модуля: Полумост

SKM400GB176D — электроизолированный IGBT полумост (GB) в корпусе SEMITRANS® 3

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
Unom номинальное напряжение 1700 В
ICnom длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса 300 А
SEMITRANS®3 количество в упаковке 12 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

Цены на сайте указаны для оптовых количеств.

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером Tj = 25 °C 1700 В
IC ток коллектора   Tc = 25 °C 430 А
Tc = 80 °C 310 А
ICnom номинальный ток коллектора   300 А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора ICRM = 2 x ICnom 600 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
tpsc устойчивость к короткому замыканию VCC = 1200 В;     VGE <= 20 В; VCES <= 1700 В Tj = 125 °C 10 мкс
         
Tvj эффективная температура p-n перехода   - 40 ... + 150 °C
Обратный диод
IF прямой ток Tj = 150 °C Tc = 25 °C 440 A
Tc = 80 °C 300 A
IFnom номинальный ток   300 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 2 x IFnom 600 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C 2200 A
Tvj эффективная температура p-n перехода   - 40 ... + 150 °C
Модуль
It(RMS)   Tterminal = 80 °C 500 A
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 минута 4000 В

 

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
IGBT-транзистор
VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения ICnom = 300 А; VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   2,0 2,4 B
Tj = 125 °C   2,45 2,9 B
VCE0 пороговое напряжение коллектор-эмиттер на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,0 1,2 B
Tj = 125 °C   0,9 1,1 B
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   3,3 4,2 мОм
Tj = 125 °C   5,2 6,0 мОм
QG заряд затвора VGE = - 8 В ... + 15 В   2500   нКл
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер

VGE = VCE; IC = 12 мА

 5,0 5,8 6,4 B
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером

VGE = 0;

VCE = VCES

 Tj = 25 °C     4 мА
Tj = 125 °C       мА
Cies входная емкость

VGE = 0;

VCE = 25 B

f = 1 МГц   19,8 , нФ
Coes выходная емкость f = 1 МГц   1,1   нФ
Cres обратная переходная емкость f = 1 МГц   0,88   нФ
td(on) длительность задержки включения

VCC = 1200 В;

IC = 300 А;

VGE = ± 15 В;

RGon = 4 Ом;

RGoff = 4 Ом;

 Tj = 125°C   330   нс
tr время нарастания Tj = 125 °C   55   нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения Tj = 125 °C   170   мДж
td(off) длительность задержки выключения Tj = 125 °C   880   нс
tf время спада Tj = 125 °C   145   нс
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения Tj = 125 °C   118   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT     0,075 K/Вт
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IFnom = 300 А;

VGE = 0 В;        на уровне кристалла

 Tj = 25 °C   1,7 1,9 B
Tj = 125 °C   1,8 2,0 B
VF0 пороговое напряжение на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,2 1,4 B
Tj = 125 °C   0,9 1,1 B
rF сопротивление в открытом состоянии на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,7 3,0 мОм
Tj = 125 °C   1,7 3,0 мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IFnom = 300 А;

di/dt = 5800 A/мкс;

VGE = - 15 В;

VCC = 1200 В

 

 Tj = 125 °C   418   А
Qrr заряд восстановления Tj = 125 °C   117   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 125 °C   78   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода     0,125 K/Вт
Модуль
LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера     15 20 нГн
RCC'+EE' суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера температура выводов полупроводника Tc = 25 °C   0,35   мОм
Tc = 125 °C   0,5   мОм
Rth(c-s) тепловое сопротивление корпус-теплоотвод для модуля     0,038 K/Вт
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M6 3   5 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M6 2,5   5 Н · м
w масса       325 грамм