SKM50GD125D

SKM50GD125D
zoom Увеличить изображение
SKM50GD125D SKM50GD125D
Цена: 101.79 EUR
Напряжение (V): 1200
Ток (A): ≤ 50
Конфигурация IGBT модуля: 3-фазный мост

SKM50GD125D — электроизолированный трёхфазный IGBT мост (GD) в корпусе SEMITRANS® 6

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
Unom номинальное напряжение 1200 В
ICnom длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса 50 А
SEMITRANS®6 количество в упаковке 10 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

Цены на сайте указаны для оптовых количеств.

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером Tj = 25 °C 1200 В
IC ток коллектора Tj = 150 °C Tc = 25 °C 73 А
Tc = 80 °C 50 А
ICnom номинальный ток коллектора   50 А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора ICRM = 2 x ICnom 100 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
tpsc устойчивость к коротком замыканию VCC = 600 В;     VGE <= 20 В; VCES <= 1200 В Tj = 125 °C 10 мкс
         
Tvj эффективная температура p-n перехода   - 55 ... + 150 °C
Обратный диод
IF прямой ток Tj = 150 °C Tc = 25 °C 77 A
Tc = 80 °C 53 A
IFnom номинальный ток   55 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 2 x IFnom 110 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 25 °C 720 A
Tvj эффективная температура p-n перехода   - 40 ... + 150 °C
Модуль
It(RMS)   Tterminal = 80 °C 100 A
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 минута 4000 В

 

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
IGBT-транзистор
VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения IC = 50 А; VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   3,2 3,7 B
Tj = 125 °C   3,6 4,2 B
VCE0 пороговое напряжение коллектор-эмиттер   Tj = 25 °C   1,5 1,75 B
Tj = 125 °C   1,7 1,95 B
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 В Tj = 25 °C   34 39 мОм
Tj = 125 °C   38 45 мОм
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE = VCE; IC = 2 мА 4,5 5,5 6,5 B
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером

VGE = 0;

VCE = VCES

 Tj = 25 °C   0,1 0,3 мА
Tj = 125 °C       мА
Cies входная емкость

VGE = 0;

VCE = 25 В

 f = 1 МГц   3,3   нФ
Coes выходная емкость f = 1 МГц   0,5   нФ
Cres обратная переходная емкость f = 1 МГц   0,22   нФ
QG заряд затвора VGE = - 8 В ... + 20 В   442   нКл
RGint внутреннее сопротивление затвора Tj = 25 °C       Ом
td(on) длительность задержки включения

VCC = 600 В;

IC = 25 А;

VGE = ± 15 В;

RGon = 16 Ом;

RGoff = 16 Ом;

 

 Tj = 125 °C   25   нс
tr время нарастания Tj = 125 °C   19   нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения Tj = 125 °C   8   мДж
td(off) длительность задержки выключения Tj = 125 °C   184   нс
tf время спада Tj = 125 °C   8   нс
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения Tj = 125 °C   3,2   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT     0,32 K/Вт
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IFnom = 55 А;

VGE = 0 В;        на уровне кристалла

 Tj = 25 °C   2,0 2,5 B
Tj = 125 °C   1,8 2,3 B
VF0 пороговое напряжение   Tj = 25 °C   1,1 1,45 B
Tj = 125 °C   0,85 1,2 B
rF сопротивление в открытом состоянии   Tj = 25 °C   16,4 19,1 мОм
Tj = 125 °C   17,3 20,0 мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IF = 50А;

di/dtoff = 3200  A/мкс;

VGE =  +-15 В;

VCC = 600 В

 Tj = 125 °C   75   А
Qrr заряд восстановления Tj = 125 °C   7   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 125 °C   2,1   мДж
Rth(j-c)FD тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода     0,6 K/Вт
Модуль
LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера       60 нГн
Rth(c-s) тепловое сопротивление корпус-теплоотвод для модуля     0,05 K/Вт
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M5 4   5 Н · м
w масса       175 грамм