SKM600GA125D

SKM600GA125D
zoom Увеличить изображение
SKM600GA125D SKM600GA125D
Цена: 122.25 EUR
Напряжение (V): 1200
Ток (A): ≤ 600
Конфигурация IGBT модуля: Одиночный

SKM600GA125D — одиночный IGBT (GA) в корпусе SEMITRANS® 3

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
Unom номинальное напряжение 1200 В
ICnom длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса 400 А
SEMITRANS®3 количество в упаковке 12 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

Цены на сайте указаны для оптовых количеств.

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером Tj = 25 °C 1200 В
IC ток коллектора Tj = 150 °C Tc = 25 °C 580 А
Tc = 80 °C 400 А
ICnom номинальный ток коллектора   400 А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора ICRM = 2 x ICnom 800 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
tpsc устойчивость к коротком замыканию VCC = 600 В;     VGE <= 20 В; VCES < 1200 В Tj = 125 °C 10 мкс
Tvj эффективная температура p-n перехода   - 40 ... + 150 °C
Обратный диод
IF прямой ток Tj = 150 °C Tc = 25 °C 500 A
Tc = 80 °C 350 A
IFnom номинальный ток   400 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 2 x IFnom 800 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C 3600 A
Tvj эффективная температура p-n перехода   - 40 ... + 150 °C
Модуль
It(RMS)   Tterminal = 80 °C 500 A
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 минута 4000 В

 

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
IGBT-транзистор
VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения ICnom = 400 А; VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   3,3 3,85 B
Tj = 125 °C   4,0   B
VCE0 пороговое напряжение коллектор-эмиттер на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,5 1,75 B
Tj = 125 °C   1,7   B
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   4,5 5,3 мОм
Tj = 125 °C   6,0   мОм
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер

VGE = VCE; IC = 16 мА

 4,5 5,5 6,5 B
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером

VGE = 0;

VCE = VCES

 Tj = 25 °C   0,15 0,45 мА
Tj = 125 °C       мА
Cies входная емкость

VGE = 0;

VCE = 25 B

f = 1 МГц   36   нФ
Coes выходная емкость f = 1 МГц   3,8   нФ
Cres обратная переходная емкость f = 1 МГц   3,5   нФ
td(on) длительность задержки включения

VCC = 600 В;

IC = 400 А;

VGE = ± 15 В;

RGon = 2,5 Ом;

RGoff = 2,5 Ом;

 Tj = 125°C   80   нс
tr время нарастания Tj = 125 °C   70   нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения Tj = 125 °C   30   мДж
td(off) длительность задержки выключения Tj = 125 °C   570   нс
tf время спада Tj = 125 °C   60   нс
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения Tj = 125 °C       мДж
QG заряд затвора
  VGE = -8 B ... + 15 B
  4400   нКл
RGint
  внутреннее сопротивление затвора
Tj =  °C   1,25    
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT     0,041 K/Вт
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IFnom = 400 А;

VGE = 0 В;        на уровне кристалла

 Tj = 25 °C   2,0 2,5 B
Tj = 125 °C   1,8   B
VF0 пороговое напряжение на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,1 1,2 B
Tj = 125 °C       B
rF сопротивление в открытом состоянии на уровне кристалла Tj = 25 °C   2,3 3,3 мОм
Tj = 125 °C       мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IFnom = 400 А;

di/dt =  A/мкс;

VGE = 0 В;

VCC = 600 В

 Tj = 125 °C   460   А
Qrr заряд восстановления Tj = 125 °C   65   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 125 °C       мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода     0,09 K/Вт
Модуль
LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера     15 20 нГн
RCC'+EE' суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера температура выводов полупроводника Tc = 25 °C       мОм
Tc = 125 °C   0,18   мОм
Rth(c-s) тепловое сопротивление корпус-теплоотвод для модуля     0,038 K/Вт
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M6 3   5 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M6 2,5   5 Н · м
w масса       325 грамм