SKM600GB126D

SKM600GB126D
zoom Увеличить изображение
SKM600GB126D SKM600GB126D SKM600GB126D
Цена: 151.73 EUR
Напряжение (V): 1200
Ток (A): ≤ 600
Конфигурация IGBT модуля: Полумост

SKM600GB126D — электроизолированный IGBT полумост (GB) в корпусе SEMITRANS® 3

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
Unom номинальное напряжение 1200 В
ICnom длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса 400 А
SEMITRANS®3 количество в упаковке 12 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

 

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером Tj = 25 °C 1200 В
IC ток коллектора Tj = 150 °C Tc = 25 °C 660 А
Tc = 80 °C 460 А
ICnom номинальный ток коллектора   400 А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора ICRM = 2 x ICnom 800 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
tpsc устойчивость к коротком замыканию VCC = 800 В;     VGE <= 15 В; VCES <= 1200 В Tj = 125 °C 10 мкс
         
Tj температура перехода   - 40 ... + 150 °C
Обратный диод
IF прямой ток Tj = 150 °C Tc = 25 °C 490 A
Tc = 80 °C 340 A
IFnom номинальный ток   400 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 2 x IFnom 800 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C 2880 A
Tj температура перехода   - 40 ... + 150 °C
Модуль
It(RMS)   Tterminal = 80 °C 500 A
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 минута 4000 В

 

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
IGBT-транзистор
VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения IC = 400 А; VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,8 2,4 B
Tj = 125 °C   2,8 3,4 B
VCE0 пороговое напряжение коллектор-эмиттер на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,0 1,2 B
Tj = 125 °C   0,9 1,1 B
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,8 2,4 мОм
Tj = 125 °C   2,8 3,4 мОм
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер

VGE = VCE; IC = 16 мА

 5,0 5,8 6,5 B
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером

VGE = 0;

VCE = 1200 В

 Tj = 25 °C   0,2 0,6 мА
Tj = 125 °C       мА
Cies входная емкость

VGE = 0;

VCE = 25 В

 f = 1 МГц   32   нФ
Coes выходная емкость f = 1 МГц   11   нФ
Cres обратная переходная емкость f = 1 МГц   2,2   нФ
QG заряд затвора VGE = - 8 В ... + 20 В   3600   нКл
RGint внутреннее сопротивление затвора Tj = 25 °C   1,88   Ом
td(on) длительность задержки включения

VCC = 600 В;

IC = 400 А;

VGE = ± 15 В;

RGon = 2,0 Ом;

RGoff = 2,0 Ом;

 Tj = 125 °C   290   нс
tr время нарастания Tj = 125 °C   60   нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения Tj = 125 °C   39   мДж
td(off) длительность задержки выключения Tj = 125 °C   670   нс
tf время спада Tj = 125 °C   80   нс
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения Tj = 125 °C   64   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT     0,055 K/Вт
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IF = 400 А;

VGE = 0 В;        на уровне кристалла

 Tj = 25 °C   1,6 1,8 B
Tj = 125 °C   1,6 1,8 B
VF0 пороговое напряжение на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,0 1,1 B
Tj = 125 °C   0,8 0,9 B
rF сопротивление в открытом состоянии на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,5 1,8 мОм
Tj = 125 °C   2,0 2,3 мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IF = 400 А;

di/dtoff = 7600 A/мкс;

VGE = - 15В;

VCC = 600 В

 Tj = 125 °C   475   А
Qrr заряд восстановления Tj = 125 °C   96   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 125 °C   41   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода     0,125 K/Вт
Модуль
LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера     15 20 нГн
RCC'+EE' суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера температура выводов полупроводника Tc = 25 °C   0,35   мОм
Tc = 125 °C   0,5   мОм
Rth(c-s) тепловое сопротивление корпус-теплоотвод для модуля     0,038 K/Вт
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M6 3   5 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M6 2,5   5 Н · м
w масса       325 грамм