SKM800GA125D

SKM800GA125D
zoom Увеличить изображение
SKM800GA125D SKM800GA125D
Цена: 169.31 EUR
Напряжение (V): 1200
Ток (A): ≤ 800
Конфигурация IGBT модуля: Одиночный

SKM600GA125D — одиночный IGBT (GA) в корпусе SEMITRANS® 3

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
Unom номинальное напряжение 1200 В
ICnom длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса 600 А
SEMITRANS®3 количество в упаковке 12 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

Цены на сайте указаны для оптовых количеств.

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером Tj = 25 °C 1200 В
IC ток коллектора Tj = 150 °C Tc = 25 °C 760 А
Tc = 80 °C 530 А
ICnom номинальный ток коллектора   600 А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора ICRM = 2 x ICnom 1200 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
tpsc устойчивость к коротком замыканию VCC = 600 В;     VGE <= 20 В; VCES < 1200 В Tj = 125 °C 10 мкс
Tvj эффективная температура p-n перехода   - 40 ... + 150 °C
Обратный диод
IF прямой ток Tj = 150 °C Tc = 25 °C 720 A
Tc = 80 °C 500 A
IFnom номинальный ток   600 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 2 x IFnom 1200 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 25 °C 5760 A
Tvj эффективная температура p-n перехода   - 40 ... + 150 °C
Модуль
It(RMS)   Tterminal = 80 °C 500 A
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 минута 4000 В

 

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
IGBT-транзистор
VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения ICnom = 600 А; VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   3,2 3,7 B
Tj = 125 °C   4,0 4,8 B
VCE0 пороговое напряжение коллектор-эмиттер на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,5 1,75 B
Tj = 125 °C   1,7 1,95 B
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   2,83 3,25 мОм
Tj = 125 °C   3,83 4,75 мОм
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер

VGE = VCE; IC = 24мА

 4,5 5,5 6,5 B
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером

VGE = 0;

VCE = VCES

 Tj = 25 °C     0,6 мА
Tj = 125 °C       мА
Cies входная емкость

VGE = 0;

VCE = 25 B

f = 1 МГц   37,5   нФ
Coes выходная емкость f = 1 МГц   5,6   нФ
Cres обратная переходная емкость f = 1 МГц   28   нФ
td(on) длительность задержки включения

VCC = 600 В;

IC = 600 А;

VGE = ± 15 В;

RGon = 0,5 Ом;

RGoff = 0,5 Ом;

 Tj = 125°C   480   нс
tr время нарастания Tj = 125 °C   116   нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения Tj = 125 °C   88   мДж
td(off) длительность задержки выключения Tj = 125 °C   666   нс
tf время спада Tj = 125 °C   58   нс
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения Tj = 125 °C   48   мДж
QG заряд затвора
  VGE = -8 B ... + 15 B
  4200   нКл
RGint
  внутреннее сопротивление затвора
Tj =  °C   0,5    
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT     0,03 K/Вт
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IFnom = 600 А;

VGE = 0 В;        на уровне кристалла

 Tj = 25 °C   2,3 2,58 B
Tj = 125 °C   1,87 2,38 B
VF0 пороговое напряжение на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,1 1,45 B
Tj = 125 °C   0,85 1,2 B
rF сопротивление в открытом состоянии на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,6 1,9 мОм
Tj = 125 °C   1,7 2,0 мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IFnom = 600 А;

di/dt =  A/мкс;

VGE = 0 В;

VCC = 600 В

 Tj = 125 °C   370   А
Qrr заряд восстановления Tj = 125 °C   83   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 125 °C   28   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода     0,07 K/Вт
Модуль
LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера     15 20 нГн
RCC'+EE' суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера температура выводов полупроводника Tc = 25 °C   0,18   мОм
Tc = 125 °C   0,22   мОм
Rth(c-s) тепловое сопротивление корпус-теплоотвод для модуля   0,02 0,038 K/Вт
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M6 3   5 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M6 2,5   5 Н · м
w масса       330 грамм