SKM900GA12E4

SKM900GA12E4
zoom Увеличить изображение
SKM900GA12E4 SKM900GA12E4
Цена: 137.16 EUR
Напряжение (V): 1200
Ток (A): ≤ 1000
Конфигурация IGBT модуля: Одиночный

SKM900GA12E4 — одиночный IGBT (GA) в корпусе SEMITRANS® 3

Обозначение Наименование Значение Единица измерения
Unom номинальное напряжение 1200 В
ICnom длительно допустимый ток коллектора при максимальной температуре корпуса 900 А
SEMITRANS®3 количество в упаковке 12 шт

 

Полный Datasheet можно скачать с сайта SEMIKRON: http://www.semikron.com

Цены на сайте указаны для оптовых количеств.

Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
IGBT-транзистор
VCES напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером Tj = 25 °C 1200 В
IC ток коллектора Tj = 175 °C Tc = 25 °C 1305 А
Tc = 80 °C 1003 А
ICnom номинальный ток коллектора   900 А
ICRM повторяющийся максимальный ток коллектора ICRM = 3 x ICnom 2700 А
VGES напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером   ± 20 В
tpsc устойчивость к коротком замыканию VCC = 800 В;     VGE <= 15 В; VCES <= 1200 В Tj = 150 °C 10 мкс
         
Tj температура перехода   - 40 ... + 175 °C
Обратный диод
IF прямой ток Tj = 175 °C Tc = 25 °C 871 A
Tc = 80 °C 651 A
IFnom номинальный ток   800 A
IFRM максимальный повторяющийся прямой ток IFRM = 3 x IFnom 2400 A
IFSM прямой ток перегрузки tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 25 °C 3520 A
Tj температура перехода   - 40 ... + 175 °C
Модуль
It(RMS)   Tterminal = 80 °C 500 A
Tstg температура хранения   - 40 ... + 125 °C
VISOL напряжение испытания изоляции переменное напряжение 50Гц, 1 минута 4000 В

 

Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается температра корпуса Tc = 25 °C)
Обозначение Наименование Условия снятия характеристики Значение Единица измерения
мин. ном. макс.
IGBT-транзистор
VCE(sat) напряжение коллектор-эмиттер насыщения IC = 900 А; VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,83 2,08 B
Tj = 150 °C   2,23 2,44 B
VCE0 пороговое напряжение коллектор-эмиттер на уровне кристалла Tj = 25 °C   0,8 0,9 B
Tj = 150 °C   0,7 0,8 B
rCE дифференциальное сопротивление открытого канала VGE = 15 В; на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,14 1,31 мОм
Tj = 150 °C   1,7 1,82 мОм
VGE(th) пороговое напряжение затвор-эмиттер

VGE = VCE; IC = 32,8 мА

 5,0 5,8 6,5 B
ICES коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером

VGE = 0;

VCE = 1200 В

 Tj = 25 °C     5 мА
Tj = 150 °C       мА
Cies входная емкость

VGE = 0;

VCE = 25 В

 f = 1 МГц   54,4   нФ
Coes выходная емкость f = 1 МГц   3,52   нФ
Cres обратная переходная емкость f = 1 МГц   3,0   нФ
QG заряд затвора VGE = - 8 В ... + 15 В       нКл
RGint внутреннее сопротивление затвора Tj = 25 °C   0,9   Ом
td(on) длительность задержки включения

VCC = 600 В;

IC = 900 А;

VGE = ± 15 В;

RGon = 1,0 Ом;

RGoff = 1,0 Ом;

di/dton = 6900 А/мкс;

di/dtoff = 5600 А/мкс

 Tj = 150 °C   378   нс
tr время нарастания Tj = 150 °C   112   нс
Eon рассеиваемая энергия в процессе включения Tj = 150 °C   130   мДж
td(off) длительность задержки выключения Tj = 150 °C   650   нс
tf время спада Tj = 150 °C   138   нс
Eoff рассеиваемая энергия в процессе выключения Tj = 150 °C   126   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT     0,035 K/Вт
Обратный диод
VF = VEC постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе

IF = 900 А;

VGE = 0 В;        на уровне кристалла

 Tj = 25 °C   2,31 2,65 B
Tj = 150 °C   2,31 2,6 B
VF0 пороговое напряжение на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,3 1,5 B
Tj = 150 °C   0,9 1,1 B
rF сопротивление в открытом состоянии на уровне кристалла Tj = 25 °C   1,1 1,3 мОм
Tj = 150 °C   1,6 1,7 мОм
IRRM максимальный ток обратного восстановления

IF =900 А;

di/dtoff = 7900 A/мкс;

VGE = ± 15В;

VCC = 600 В

 Tj = 150 °C   576   А
Qrr заряд восстановления Tj = 150 °C   124   мкКл
Err рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение Tj = 150 °C   53   мДж
Rth(j-c) тепловое сопротивление переход-корпус для обратного диода     0,07 K/Вт
Модуль
LCE паразитная индуктивность коллектора-эмиттера     15 20 нГн
RCC'+EE' суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера температура выводов полупроводника Tc = 25 °C   0,18   мОм
Tc = 125 °C   0,22   мОм
Rth(c-s) тепловое сопротивление корпус-теплоотвод для модуля   0,02 0,038 K/Вт
Ms монтажный вращающий момент для крепления теплоотвода с резьбой M6 3   5 Н · м
Mt монтажный вращающий момент для выводов с резьбой M6 2,5   5 Н · м
w масса       330 грамм